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基于共振腔結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)大面積超分辨光刻方法

885   編輯：管理員   來源：中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-18 15:10:02
本發(fā)明提出一種基于共振腔結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)大面積超分辨光刻方法，在硅基底或硅膜層上制備包含有介質(zhì)層和金屬層的共振腔結(jié)構(gòu)，在共振腔結(jié)構(gòu)上制備一層特殊感光材料。上層感光材料在一定傳統(tǒng)干涉光刻照明條件下透過率或/和折射率發(fā)生明顯變化，并在第二次照明中作為振幅型掩模光柵使用。硅基底/感光材料/金屬層組成的共振腔結(jié)構(gòu)可以激發(fā)表面等離子體效應(yīng)，并在共振腔體內(nèi)實(shí)現(xiàn)上層感光材料形成的振幅型掩模光柵高頻橫向波矢的干涉，從而實(shí)現(xiàn)大面積的超分辨光刻。該方法與傳統(tǒng)的干涉光刻相結(jié)合，通過共振腔結(jié)構(gòu)的二次干涉效應(yīng)，可將傳統(tǒng)干涉光刻的分辨力至少提高2倍，為百納米量級(jí)以下特征尺寸的硅基功能器件的制備提供了一種廉價(jià)的、簡單的方法。
聲明：
“基于共振腔結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)大面積超分辨光刻方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究，如用于商業(yè)用途，請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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