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硅基半導(dǎo)體PN結(jié)結(jié)構(gòu)及其制備方法、光電陰極和應(yīng)用

1103   編輯：管理員   來源：中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-18 15:02:22
本發(fā)明屬于半導(dǎo)體電極技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種硅基半導(dǎo)體PN結(jié)結(jié)構(gòu)及其制備方法、光電陰極和應(yīng)用，p型硅基底表面沉積有TiO2納米結(jié)晶層，TiO2納米結(jié)晶層通過還原處理后與p型硅基底形成肖特基接觸，得到p型硅?二氧化鈦異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)；其結(jié)晶性TiO2納米層上負(fù)載Pt助劑構(gòu)成硅基半導(dǎo)體PN結(jié)光電陰極，該光電陰極應(yīng)用于光電化學(xué)池光解水制氫中。本發(fā)明的硅基半導(dǎo)體PN結(jié)結(jié)構(gòu)能產(chǎn)生較高的光生電壓，且具有較高的穩(wěn)定性，同時制備方法簡單易行，可控性強，可實現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)；本發(fā)明的硅基半導(dǎo)體PN結(jié)光電陰極利用n型TiO2納米結(jié)晶層成功促進(jìn)了光生載流子的分離，提升了硅基光陰極的起始電位，同時也對p型硅基底起到了保護(hù)作用。
聲明：
“硅基半導(dǎo)體PN結(jié)結(jié)構(gòu)及其制備方法、光電陰極和應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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