本發(fā)明屬于SiC?AlN復合陶瓷燒結制備領域,本發(fā)明提供了一種高導熱SiC?AlN復合陶瓷的制備方法,制備該復合陶瓷的方法包括:S1、提供含硅原料粉體,所述含硅原料粉體的組成物質包括粗顆粒碳化硅粉和細顆粒硅粉;S2、將所述含硅原料粉體、氮化鋁源和碳源進行低能球磨混料,得到均勻混合原料粉體;S3、將所述均勻混合粉體進行合成反應,得到含有碳化硅晶須的SiC?AlN復合粉體;S4、將所述SiC?AlN復合粉體與燒結助劑混合后燒結,得到SiC?AlN復合陶瓷。本工藝簡便易行,在提高SiC?AlN復合陶瓷的導熱率和強度等方面有重要意義。
聲明:
“高導熱SiC-AlN復合陶瓷的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
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