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碳化硅MOSFET芯片雙向開關(guān)功率模塊及其制備方法

1112   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-18 15:00:02
本發(fā)明公開了一種碳化硅MOSFET芯片雙向開關(guān)功率模塊及其制備方法,銅底板上橫向設(shè)置有多塊DBC,多塊DBC構(gòu)成9個雙向開關(guān),DBC的功率回路通過功率端子引出,DBC上疊加設(shè)置有第一PCB板和第二PCB板,第一PCB板和第二PCB板通過引線鍵合的方式引出驅(qū)動端子,9個雙向開關(guān)連接構(gòu)成矩陣變換器的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu);本發(fā)明碳化硅MOSFET芯片雙向開關(guān)功率模塊具有體積小,寄生電感小,功率密度大的優(yōu)點(diǎn)。
聲明:
“碳化硅MOSFET芯片雙向開關(guān)功率模塊及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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