本發(fā)明涉及一種氮化硅瓷片界面改性方法及覆銅陶瓷基板制備方法,其中氮化硅瓷片界面改性方法包括如下步驟:1)改性溶液制備:將粒徑為20~20000nm的α?氮化硅粉末與分散劑加入至溶劑中攪拌均勻,得到α?氮化硅粉末含量為0.003~0.02g/mL的改性溶液;2)改性瓷片制備:將步驟1)中的改性溶液均勻涂覆在氮化硅瓷片上并在80~220℃條件下烘干。根據上述方法改性后的氮化硅瓷片可直接用于覆銅陶瓷基板的活性釬焊,提高了氮化硅瓷片釬焊時反應活性,進行真空燒結時,能夠在瓷片與金屬焊片界面層形成更致密的結構,能夠提高產品的剝離強度。此外,未反應的α?氮化硅粉末能夠嵌入近瓷界面層中,降低界面層的熱膨脹系數(shù),可提高瓷片與界面層在冷熱沖擊條件下的結合可靠性。
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“氮化硅瓷片界面改性方法及覆銅陶瓷基板制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
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