權(quán)利要求
1.燒結(jié)釹鐵硼磁體表面Al薄膜的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：
S1：磁體預(yù)處理：采用激光清洗方法對(duì)燒結(jié)釹鐵硼磁體進(jìn)行表面預(yù)處理，并用惰性氣體及時(shí)將污物吹離磁體表面；
S2：真空蒸鍍Al薄膜的制備：在真空蒸鍍裝置中，通過采用真空蒸鍍工藝在預(yù)處理后的磁體表面沉積一層Al薄膜；
S3：激光重熔處理：采用激光重熔技術(shù)對(duì)磁體表面沉積的Al薄膜進(jìn)行改性處理，提高Al薄膜的致密度以及與基體之間的結(jié)合力。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的燒結(jié)釹鐵硼磁體表面Al薄膜的制備方法，其特征在于：所述S1中磁體預(yù)處理，采用激光清洗方法對(duì)燒結(jié)釹鐵硼磁體表面進(jìn)行預(yù)處理，以去除磁體表面的油污及氧化皮，所述激光清洗的工藝參數(shù)包括：激光功率為100～2500W，激光束波長為1064nm，脈沖寬度為50～300ns，激光掃描速度為5～150mm/s，激光入射角為20～90°；所述S1中磁體預(yù)處理，使用惰性氣體及時(shí)將激光清洗后的污物吹離磁體表面，避免清潔表面再次污染和氧化，所述惰性氣體為氬氣、氦氣中的一種。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的燒結(jié)釹鐵硼磁體表面Al薄膜的制備方法，其特征在于：所述S2真空蒸鍍Al薄膜的制備，采用真空蒸鍍工藝在預(yù)處理后的磁體表面沉積一層Al薄膜，所述真空蒸鍍的工藝參數(shù)包括真空度為1×10-3～5×10-3Pa，蒸發(fā)電流為2000～2900A，真空蒸鍍時(shí)間為50～80min。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的燒結(jié)釹鐵硼磁體表面Al薄膜的制備方法，其特征在于：所述S3激光重熔處理，采用激光重熔技術(shù)對(duì)磁體表面沉積的Al薄膜進(jìn)行改性處理，提高Al薄膜的致密度以及與基體之間的結(jié)合力；所述激光重熔的工藝參數(shù)包括：激光功率為1000～3000W，掃描速度為5～15mm/s，光斑尺寸為2～5mm，搭接系數(shù)為5％～20％，并充入惰性氣體作為保護(hù)氣，所述惰性氣體為氬氣或氦氣中的一種。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的燒結(jié)釹鐵硼磁體表面Al薄膜的制備方法，其特征在于：所述真空蒸鍍裝置包括有外殼(1)、坩堝(2)和調(diào)節(jié)夾具(3)；所述外殼(1)的內(nèi)部靠近外殼(1)的底面位置固連有坩堝(2)，且坩堝(2)的內(nèi)部用于放置蒸發(fā)材料；所述外殼(1)的內(nèi)部于坩堝(2)的頂部位置設(shè)有調(diào)節(jié)夾具(3)；所述調(diào)節(jié)夾具(3)包括有推桿(4)、電機(jī)(5)和轉(zhuǎn)動(dòng)壓塊(6)；所述外殼(1)的內(nèi)部側(cè)面開設(shè)有第一液壓槽(7)，且第一液壓槽(7)的數(shù)量為四；四個(gè)所述第一液壓槽(7)的內(nèi)部均滑動(dòng)連接有推桿(4)；其中相鄰的任意兩個(gè)所述推桿(4)的內(nèi)部均固連有電機(jī)(5)；四個(gè)所述推桿(4)的表面均轉(zhuǎn)動(dòng)連接有轉(zhuǎn)動(dòng)壓塊(6)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的燒結(jié)釹鐵硼磁體表面Al薄膜的制備方法，其特征在于：所述外殼(1)的內(nèi)部表面于調(diào)節(jié)夾具(3)的頂部和底部位置均開設(shè)有第二液壓槽(8)；所述第二液壓槽(8)的內(nèi)部均滑動(dòng)連接有封板(9)；位于底部位置的所述封板(9)的頂面開設(shè)有均勻布置的進(jìn)氣孔(10)；位于頂部位置的所述封板(9)的底面開設(shè)有均勻布置的出氣孔(11)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的燒結(jié)釹鐵硼磁體表面Al薄膜的制備方法，其特征在于：所述出氣孔(11)的內(nèi)部均滑動(dòng)連接有控制塊(12)；所述控制塊(12)的頂部均固連有彈簧(13)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的燒結(jié)釹鐵硼磁體表面Al薄膜的制備方法，其特征在于：所述封板(9)的內(nèi)部靠近出氣孔(11)位置均開設(shè)有冷卻槽(14)，且冷卻槽(14)通過管道外接冷卻氣源；所述冷卻槽(14)的內(nèi)部均滑動(dòng)連接有彈性板(15)，且彈性板(15)均與對(duì)應(yīng)控制塊(12)的底面之間固定連接；所述彈性板(15)與對(duì)應(yīng)冷卻槽(14)的底面之間均固連有彈性片(16)；所述封板(9)的表面靠近出氣孔(11)位置均開設(shè)有斜孔(17)；所述出氣孔(11)的底部開口位置均固連有第一加熱板(18)；所述控制塊(12)的底面均固連有第二加熱板(19)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的燒結(jié)釹鐵硼磁體表面Al薄膜的制備方法，其特征在于：所述出氣孔(11)的內(nèi)部于斜孔(17)位置固連有導(dǎo)料彈片(20)；所述出氣孔(11)的內(nèi)部于導(dǎo)料彈片(20)的頂部位置固連有導(dǎo)管(21)，且導(dǎo)管(21)與對(duì)應(yīng)斜孔(17)之間均相互連通。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的燒結(jié)釹鐵硼磁體表面Al薄膜的制備方法，其特征在于：所述斜孔(17)的內(nèi)部均固連有連繩(22)；所述連繩(22)靠近導(dǎo)料彈片(20)的一側(cè)端面位置均固連有震動(dòng)球(23)。
說明書
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明屬于稀土永磁材料表面防護(hù)領(lǐng)域，具體的說是一種燒結(jié)釹鐵硼磁體表面Al薄膜的制備方法。
背景技術(shù)
[0002]燒結(jié)釹鐵硼磁體自1983年問世以來，憑借其優(yōu)異的綜合磁性能和豐富的資源儲(chǔ)量極大地促進(jìn)了永磁材料及相關(guān)領(lǐng)域的快速發(fā)展。但是，采用粉末冶金工藝制備的燒結(jié)釹鐵硼磁體具有多相結(jié)構(gòu)，且各相之間的電位差相差較大，尤其是晶界富稀土相的電化學(xué)活性最高，在電化學(xué)環(huán)境中極易發(fā)生腐蝕，且少量的晶界富稀土相作為陽極承擔(dān)大量的電流密度，形成大陰極小陽極的腐蝕特征，因晶界富稀土相的腐蝕而使晶粒之間失去粘連介質(zhì)，導(dǎo)致彼此相連的晶粒成為孤立的顆粒，最終導(dǎo)致磁體的粉化，嚴(yán)重限制了其應(yīng)用領(lǐng)域的拓展。因此，提高燒結(jié)釹鐵硼磁體的耐腐蝕性能成為迫在眉睫的問題。
[0003]目前，主要采用合金元素法和表面防護(hù)法來改善燒結(jié)釹鐵硼磁體的耐腐蝕性能。其中，合金元素法是指在合金配制時(shí)加入Cu、Al、Co等微量元素來提高磁體本身的耐蝕性，但是該方法會(huì)在一定程度上降低磁體的磁性能，并且不能從根本上解決磁體較差的耐腐蝕性。表面防護(hù)法是指在不影響釹鐵硼磁體磁性能的基礎(chǔ)上，通過在釹鐵硼基體表面涂覆一層具有耐腐蝕性的涂/鍍層，從而隔絕外界腐蝕介質(zhì)直接與基體的接觸，能夠明顯提高燒結(jié)釹鐵硼磁體較差的耐腐蝕性能。
[0004]燒結(jié)釹鐵硼磁體常用的表面防護(hù)方法有電鍍、化學(xué)鍍、陰極電泳、噴涂和物理氣相沉積等。其中，物理氣相沉積作為一種環(huán)境友好型的表面防護(hù)技術(shù)，逐漸引起人們的重視，真空蒸發(fā)Al薄膜已被應(yīng)用于燒結(jié)釹鐵硼磁體表面防護(hù)。但是，所制備的Al薄膜與釹鐵硼基體之間的結(jié)合力較差，并且Al薄膜呈柱狀晶結(jié)構(gòu)生長，晶間有明顯的間隙貫穿薄膜，這些間隙將成為外界腐蝕溶液滲透到達(dá)基體的快速腐蝕通道，最終導(dǎo)致磁體表面Al薄膜的腐蝕而失去防護(hù)作用。
[0005]公開號(hào)為CN105671503B一種燒結(jié)NdFeB磁體表面高耐蝕復(fù)合涂層的制備方法，在磁體表面依次交替磁控濺射沉積Zn薄膜與真空蒸鍍Al薄膜，通過沉積的Zn薄膜來打斷Al薄膜的柱狀晶結(jié)構(gòu)，從而阻斷了腐蝕溶液滲透到達(dá)基體的快速腐蝕通道，提高了Al薄膜的耐腐蝕性能。而中國專利CN201911230623.7公開了一種燒結(jié)NdFeB磁體表面致密化Al涂層及其制備方法，通過對(duì)燒結(jié)NdFeB磁體表面蒸鍍的Al涂層進(jìn)行球磨處理，實(shí)現(xiàn)Al涂層的致密化，封閉了Al在蒸鍍過程中的柱狀晶之間的間隙，提高了蒸鍍Al涂層的耐蝕性和表面硬度。
[0006]基于上述專利公開的關(guān)于提高真空蒸鍍Al薄膜致密度的啟示，本發(fā)明采用激光重熔技術(shù)對(duì)燒結(jié)釹鐵硼磁體表面真空蒸鍍Al薄膜進(jìn)行處理，獲得一種高結(jié)合力高致密化的Al薄膜。
[0007]為此，本發(fā)明提供一種燒結(jié)釹鐵硼磁體表面Al薄膜的制備方法。
發(fā)明內(nèi)容
[0008]為了彌補(bǔ)現(xiàn)有技術(shù)的不足，解決背景技術(shù)中所提出的至少一個(gè)技術(shù)問題。
[0009]本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是：本發(fā)明所述的一種燒結(jié)釹鐵硼磁體表面Al薄膜的制備方法，包括以下步驟：
[0010]S1：磁體預(yù)處理：采用激光清洗方法對(duì)燒結(jié)釹鐵硼磁體進(jìn)行表面預(yù)處理，并用惰性氣體及時(shí)將污物吹離磁體表面；
[0011]S2：真空蒸鍍Al薄膜的制備：在真空蒸鍍裝置中，通過采用真空蒸鍍工藝在預(yù)處理后的磁體表面沉積一層Al薄膜；
[0012]S3：激光重熔處理：采用激光重熔技術(shù)對(duì)磁體表面沉積的Al薄膜進(jìn)行改性處理，提高Al薄膜的致密度以及與基體之間的結(jié)合力。
[0013]優(yōu)選的，所述S1中磁體預(yù)處理，采用激光清洗方法對(duì)燒結(jié)釹鐵硼磁體表面進(jìn)行預(yù)處理，以去除磁體表面的油污及氧化皮，所述激光清洗的工藝參數(shù)包括：激光功率為100～2500W，激光束波長為1064nm，脈沖寬度為50～300ns，激光掃描速度為5～150mm/s，激光入射角為20～90°；所述S1中磁體預(yù)處理，使用惰性氣體及時(shí)將激光清洗后的污物吹離磁體表面，避免清潔表面再次污染和氧化，所述惰性氣體為氬氣、氦氣中的一種。
[0014]優(yōu)選的，所述S2真空蒸鍍Al薄膜的制備，采用真空蒸鍍工藝在預(yù)處理后的磁體表面沉積一層Al薄膜，所述真空蒸鍍的工藝參數(shù)包括真空度為1×10-3～5×10-3Pa，蒸發(fā)電流為2000～2900A，真空蒸鍍時(shí)間為50～80min。
[0015]優(yōu)選的，所述S3激光重熔處理，采用激光重熔技術(shù)對(duì)磁體表面沉積的Al薄膜進(jìn)行改性處理，提高Al薄膜的致密度以及與基體之間的結(jié)合力；所述激光重熔的工藝參數(shù)包括：激光功率為1000～3000W，掃描速度為5～15mm/s，光斑尺寸為2～5mm，搭接系數(shù)為5％～20％，并充入惰性氣體作為保護(hù)氣，所述惰性氣體為氬氣或氦氣中的一種。
[0016]優(yōu)選的，所述真空蒸鍍裝置包括有外殼、坩堝和調(diào)節(jié)夾具；所述外殼的內(nèi)部靠近外殼的底面位置固連有坩堝，且坩堝的內(nèi)部用于放置蒸發(fā)材料；所述外殼的內(nèi)部于坩堝的頂部位置設(shè)有調(diào)節(jié)夾具；所述調(diào)節(jié)夾具包括有推桿、電機(jī)和轉(zhuǎn)動(dòng)壓塊；所述外殼的內(nèi)部側(cè)面開設(shè)有第一液壓槽，且第一液壓槽的數(shù)量為四；四個(gè)所述第一液壓槽的內(nèi)部均滑動(dòng)連接有推桿；其中相鄰的任意兩個(gè)所述推桿的內(nèi)部均固連有電機(jī)；四個(gè)所述推桿的表面均轉(zhuǎn)動(dòng)連接有轉(zhuǎn)動(dòng)壓塊；工作時(shí)，通過控制相對(duì)的兩個(gè)第一液壓槽的內(nèi)部液壓，控制該對(duì)推桿頂出，推桿會(huì)帶動(dòng)對(duì)應(yīng)轉(zhuǎn)動(dòng)壓塊擠壓燒結(jié)釹鐵硼磁體，對(duì)燒結(jié)釹鐵硼磁體進(jìn)行固定，然后通過控制對(duì)應(yīng)電機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng)，電機(jī)會(huì)帶動(dòng)對(duì)應(yīng)轉(zhuǎn)動(dòng)壓塊轉(zhuǎn)動(dòng)，轉(zhuǎn)動(dòng)壓塊會(huì)帶動(dòng)燒結(jié)釹鐵硼磁體轉(zhuǎn)動(dòng)，使得燒結(jié)釹鐵硼磁體其中四個(gè)面，依次調(diào)整為向下方向，便于對(duì)燒結(jié)釹鐵硼磁體的該四個(gè)面進(jìn)行真空蒸鍍，完成該四個(gè)面的真空蒸鍍后，通過控制控制另外兩個(gè)推桿導(dǎo)出第一液壓槽，兩個(gè)推桿會(huì)帶動(dòng)對(duì)應(yīng)轉(zhuǎn)動(dòng)壓塊擠壓固定燒結(jié)釹鐵硼磁體，再將原有的兩個(gè)推桿內(nèi)收，此時(shí)控制電機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng)，電機(jī)會(huì)帶動(dòng)轉(zhuǎn)動(dòng)壓塊轉(zhuǎn)動(dòng)，使得燒結(jié)釹鐵硼磁體轉(zhuǎn)動(dòng)，控制未真空蒸鍍的兩個(gè)表面切換到向下，實(shí)現(xiàn)了對(duì)燒結(jié)釹鐵硼磁體的表面完全蒸鍍處理。
[0017]優(yōu)選的，所述外殼的內(nèi)部表面于調(diào)節(jié)夾具的頂部和底部位置均開設(shè)有第二液壓槽；所述第二液壓槽的內(nèi)部均滑動(dòng)連接有封板；位于底部位置的所述封板的頂面開設(shè)有均勻布置的進(jìn)氣孔；位于頂部位置的所述封板的底面開設(shè)有均勻布置的出氣孔；工作時(shí)，通過設(shè)置兩個(gè)封板，通過控制兩個(gè)封板導(dǎo)出對(duì)應(yīng)得第二液壓槽，兩個(gè)封板會(huì)使得燒結(jié)釹鐵硼磁體處于完全密封的空間內(nèi)，然后控制進(jìn)氣孔導(dǎo)氣入冷卻氣體，冷卻氣體會(huì)經(jīng)過燒結(jié)釹鐵硼磁體表面，并通過出氣孔導(dǎo)出，實(shí)現(xiàn)了對(duì)燒結(jié)釹鐵硼磁體的降溫，后續(xù)更換對(duì)燒結(jié)釹鐵硼磁體的夾緊時(shí)，避免對(duì)已經(jīng)真空蒸鍍的Al薄膜產(chǎn)生損傷。
[0018]優(yōu)選的，所述出氣孔的內(nèi)部均滑動(dòng)連接有控制塊；所述控制塊的頂部均固連有彈簧；工作時(shí)，通過設(shè)置控制塊，且控制塊受到彈簧的預(yù)緊壓力，當(dāng)由于外殼的內(nèi)部處于真空狀態(tài)，初始狀態(tài)下控制塊會(huì)對(duì)出氣孔進(jìn)行自動(dòng)封堵，隨著進(jìn)氣孔不斷的導(dǎo)入氣體，兩個(gè)封板之間的壓力增大，進(jìn)而控制塊滑動(dòng)并擠壓彈簧，使得出氣孔自動(dòng)打開，保證了大量的冷卻氣體在燒結(jié)釹鐵硼磁體的周圍停留，實(shí)現(xiàn)快速降溫。
[0019]優(yōu)選的，所述封板的內(nèi)部靠近出氣孔位置均開設(shè)有冷卻槽，且冷卻槽通過管道外接冷卻氣源；所述冷卻槽的內(nèi)部均滑動(dòng)連接有彈性板，且彈性板均與對(duì)應(yīng)控制塊的底面之間固定連接；所述彈性板與對(duì)應(yīng)冷卻槽的底面之間均固連有彈性片；所述封板的表面靠近出氣孔位置均開設(shè)有斜孔；所述出氣孔的底部開口位置均固連有第一加熱板；所述控制塊的底面均固連有第二加熱板；工作時(shí)，通過設(shè)置彈性板和彈性片，當(dāng)控制塊向上移動(dòng)時(shí)，控制塊會(huì)擠壓彈簧，同時(shí)會(huì)拉動(dòng)對(duì)應(yīng)彈性板，使得彈性板導(dǎo)出對(duì)應(yīng)冷卻槽，由于冷卻槽的內(nèi)部外接有冷卻氣源，使得導(dǎo)出的彈性板處于冷卻狀態(tài)，當(dāng)兩個(gè)封板之間的壓力升高后，氣體會(huì)通過斜孔導(dǎo)入出氣孔的內(nèi)部，并通過彈性板吸附氣體中的固體顆粒，實(shí)現(xiàn)對(duì)排出氣體的初步凈化，同時(shí)最終再通過棉完全凈化排出的氣體，完成對(duì)燒結(jié)釹鐵硼磁體的降溫后，控制塊復(fù)位，在彈性片的作用下，彈性板回收入對(duì)應(yīng)冷卻槽，并且回收的過程中，彈性板表面的吸附顆粒物會(huì)被刮除，并聚集于第一加熱板的表面，通過第一加熱板和第二加熱板的加熱，可以使得蒸發(fā)材料重新氣化，部分蒸發(fā)材料會(huì)通過斜孔回導(dǎo)并被利用。
[0020]優(yōu)選的，所述出氣孔的內(nèi)部于斜孔位置固連有導(dǎo)料彈片；所述出氣孔的內(nèi)部于導(dǎo)料彈片的頂部位置固連有導(dǎo)管，且導(dǎo)管與對(duì)應(yīng)斜孔之間均相互連通；工作時(shí)，通過設(shè)置導(dǎo)料彈片，當(dāng)彈性板表面的附作物被刮離后，會(huì)首先掉入導(dǎo)料彈片的表面，導(dǎo)料彈片可以避免刮離的附作物直接落入斜孔，同時(shí)通過導(dǎo)管，將斜孔導(dǎo)入的氣體直接引入導(dǎo)料彈片的上方位置，并且氣體的流動(dòng)可以使得導(dǎo)料彈片的震動(dòng)，促進(jìn)雜質(zhì)物通過導(dǎo)料彈片落入第一加熱板的表面，完成對(duì)刮離的雜質(zhì)附著物的收集。
[0021]優(yōu)選的，所述斜孔的內(nèi)部均固連有連繩；所述連繩靠近導(dǎo)料彈片的一側(cè)端面位置均固連有震動(dòng)球；工作時(shí)，通過在斜孔的內(nèi)部設(shè)置連繩，連繩的端部連有震動(dòng)球，當(dāng)氣體通過斜孔時(shí)，氣體會(huì)吹動(dòng)震動(dòng)球，使得震動(dòng)球在導(dǎo)料彈片的底部位置不斷的晃動(dòng)，促進(jìn)對(duì)導(dǎo)料彈片的震動(dòng)效果。
[0022]本發(fā)明的有益效果如下：
[0023]1.本發(fā)明采用激光清洗方法對(duì)燒結(jié)釹鐵硼磁體進(jìn)行預(yù)處理，以去除磁體表面的油污及氧化皮，并使用惰性氣體及時(shí)將激光清洗的污物吹離磁體表面，避免清潔表面再次污染和氧化。傳統(tǒng)燒結(jié)釹鐵硼磁體預(yù)處理工藝包括堿洗除油、酸洗除銹，在預(yù)處理過程中會(huì)影響磁體的表磁，并有少量氫離子附著在磁體表面，影響鍍層質(zhì)量，且磁體預(yù)處理過程會(huì)產(chǎn)生大量的廢液。而激光清洗是一種綠色環(huán)保的表面清洗方式，不需要有機(jī)溶劑，沒有廢液的排放，殘?jiān)?，不?huì)造成環(huán)境污染，能夠有效去除吸附在磁體表面的各種污染物。激光清洗的柔性高、可控性好、易于選區(qū)定位實(shí)現(xiàn)精密清洗，易于遠(yuǎn)距離遙控清洗難以達(dá)到或危險(xiǎn)的地方。因此，激光清洗可以有效避免傳統(tǒng)磁體表面預(yù)處理造成的表磁下降、氫離子等其它清洗產(chǎn)物吸附在基體以及廢液引起的環(huán)境污染問題，是替代傳統(tǒng)燒結(jié)釹鐵硼磁體表面預(yù)處理最理想的選擇。
[0024]2.本發(fā)明采用激光重熔技術(shù)對(duì)磁體表面沉積的Al薄膜進(jìn)行改性處理，能夠?qū)崿F(xiàn)Al薄膜與基體之間的冶金結(jié)合，并且改變Al薄膜的柱狀結(jié)構(gòu)，顯著提高Al薄膜的致密度，大幅度提升Al薄膜的耐腐蝕性能。與真空蒸鍍Al薄膜相比，激光重熔技術(shù)可改變Al薄膜柱狀晶結(jié)構(gòu)生長，改善其組織形貌，使其分布更加均勻，減小甚至消除薄膜與基體之間的應(yīng)力，實(shí)現(xiàn)Al薄膜與基體之間的冶金結(jié)合。激光重熔可以排除雜質(zhì)和氣體，同時(shí)急冷重結(jié)晶獲得的組織具有較高的硬度、耐磨性和抗蝕性，其重熔層的熱作用區(qū)小，對(duì)表面粗糙度和工件尺寸影響很小。因此，采用激光重熔對(duì)真空蒸鍍Al薄膜進(jìn)行處理，可以顯著提高Al薄膜的致密度、與基體之間的結(jié)合力，激光重熔處理后的Al薄膜具有更優(yōu)異的耐腐蝕性能。
[0025]3.本發(fā)明通過采用真空蒸鍍裝置，該真空蒸鍍裝置通過設(shè)置外殼、坩堝和調(diào)節(jié)夾具，通過控制電機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng)，電機(jī)會(huì)帶動(dòng)轉(zhuǎn)動(dòng)壓塊轉(zhuǎn)動(dòng)，使得燒結(jié)釹鐵硼磁體轉(zhuǎn)動(dòng)，控制未真空蒸鍍的表面切換到向下，實(shí)現(xiàn)了對(duì)燒結(jié)釹鐵硼磁體的表面完全蒸鍍處理，并且兩個(gè)封板會(huì)使得燒結(jié)釹鐵硼磁體處于完全密封的空間內(nèi)，然后控制進(jìn)氣孔導(dǎo)氣入冷卻氣體，冷卻氣體會(huì)經(jīng)過燒結(jié)釹鐵硼磁體表面，并通過出氣孔導(dǎo)出，實(shí)現(xiàn)了對(duì)燒結(jié)釹鐵硼磁體的降溫，后續(xù)更換對(duì)燒結(jié)釹鐵硼磁體的夾緊時(shí)，避免對(duì)已經(jīng)真空蒸鍍的Al薄膜產(chǎn)生損傷。
附圖說明
[0026]下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說明。
[0027]圖1是本發(fā)明的方法流程圖；
[0028]圖2是本發(fā)明中所使用的真空蒸鍍裝置的立體圖；
[0029]圖3是本發(fā)明中所使用的真空蒸鍍裝置的第一剖視圖；
[0030]圖4是本發(fā)明中所使用的真空蒸鍍裝置的第二剖視圖；
[0031]圖5是本發(fā)明的封板的剖視圖；
[0032]圖6是圖5中A處局部放大圖；
[0033]圖7是圖6中B處局部放大圖；
[0034]圖中：外殼1、坩堝2、調(diào)節(jié)夾具3、推桿4、電機(jī)5、轉(zhuǎn)動(dòng)壓塊6、第一液壓槽7、第二液壓槽8、封板9、進(jìn)氣孔10、出氣孔11、控制塊12、彈簧13、冷卻槽14、彈性板15、彈性片16、斜孔17、第一加熱板18、第二加熱板19、導(dǎo)料彈片20、導(dǎo)管21、連繩22、震動(dòng)球23。
具體實(shí)施方式
[0035]為了使本發(fā)明實(shí)現(xiàn)的技術(shù)手段、創(chuàng)作特征、達(dá)成目的與功效易于明白了解，下面結(jié)合具體實(shí)施方式，進(jìn)一步闡述本發(fā)明。
[0036]實(shí)施例1
[0037]如圖1所示，(1)磁體預(yù)處理：
[0038]選用規(guī)格為20×15×4mm的商用燒結(jié)釹鐵硼磁體(牌號(hào)：42SH，狀態(tài)：未充磁)進(jìn)行試驗(yàn)。采用激光清洗方法對(duì)燒結(jié)釹鐵硼磁體表面進(jìn)行預(yù)處理，以去除磁體表面的油污及氧化皮，所述激光清洗的工藝參數(shù)包括：激光功率為100W，激光束波長為1064nm，脈沖寬度為50ns，激光掃描速度為5mm/s，激光入射角為20°。使用惰性氣體及時(shí)將激光清洗后的污物吹離磁體表面，避免清潔表面再次污染和氧化，所述惰性氣體為氬氣。
[0039](2)真空蒸鍍Al薄膜的制備：
[0040]采用真空蒸鍍工藝在預(yù)處理后的磁體表面沉積一層Al薄膜，所述真空蒸鍍的工藝參數(shù)包括真空度為1×10-3Pa，蒸發(fā)電流為2000A，真空蒸鍍時(shí)間為50min。
[0041](3)激光重熔處理：
[0042]采用激光重熔技術(shù)對(duì)磁體表面沉積的Al薄膜進(jìn)行改性處理，提高Al薄膜的致密度以及與基體之間的結(jié)合力。所述激光重熔的工藝參數(shù)包括：激光功率為1000W，掃描速度為5mm/s，光斑尺寸為2mm，搭接系數(shù)為5％，并充入惰性氣體作為保護(hù)氣，所述惰性氣體為氬氣。
[0043]對(duì)照實(shí)施例1
[0044]為進(jìn)行對(duì)比，按實(shí)施例1中的步驟(1)和(2)在燒結(jié)釹鐵硼磁體表面沉積Al薄膜，未進(jìn)行激光重熔處理。
[0045]實(shí)施例2
[0046](1)磁體預(yù)處理：
[0047]選用規(guī)格為20×15×4mm的商用燒結(jié)釹鐵硼磁體(牌號(hào)：42SH，狀態(tài)：未充磁)進(jìn)行試驗(yàn)。采用激光清洗方法對(duì)燒結(jié)釹鐵硼磁體表面進(jìn)行預(yù)處理，以去除磁體表面的油污及氧化皮，所述激光清洗的工藝參數(shù)包括：激光功率為1300W，激光束波長為1064nm，脈沖寬度為175ns，激光掃描速度為80mm/s，激光入射角為60°。使用惰性氣體及時(shí)將激光清洗后的污物吹離磁體表面，避免清潔表面再次污染和氧化，所述惰性氣體為氦氣。
[0048](2)真空蒸鍍Al薄膜的制備：
[0049]采用真空蒸鍍工藝在預(yù)處理后的磁體表面沉積一層Al薄膜，所述真空蒸鍍的工藝參數(shù)包括真空度為3×10-3Pa，蒸發(fā)電流為2450A，真空蒸鍍時(shí)間為65min。
[0050](3)激光重熔處理：
[0051]采用激光重熔技術(shù)對(duì)磁體表面沉積的Al薄膜進(jìn)行改性處理，提高Al薄膜的致密度以及與基體之間的結(jié)合力。所述激光重熔的工藝參數(shù)包括：激光功率為2000W，掃描速度為10mm/s，光斑尺寸為3.5mm，搭接系數(shù)為12.5％，并充入惰性氣體作為保護(hù)氣，所述惰性氣體為氦氣。
[0052]對(duì)照實(shí)施例2
[0053]為進(jìn)行對(duì)比，按實(shí)施例1中的步驟(1)和(2)在燒結(jié)釹鐵硼磁體表面沉積Al薄膜，未進(jìn)行激光重熔處理。
[0054]實(shí)施例3
[0055](1)磁體預(yù)處理：
[0056]選用規(guī)格為20×15×4mm的商用燒結(jié)釹鐵硼磁體(牌號(hào)：42SH，狀態(tài)：未充磁)進(jìn)行試驗(yàn)。采用激光清洗方法對(duì)燒結(jié)釹鐵硼磁體表面進(jìn)行預(yù)處理，以去除磁體表面的油污及氧化皮，所述激光清洗的工藝參數(shù)包括：激光功率為2500W，激光束波長為1064nm，脈沖寬度為300ns，激光掃描速度為150mm/s，激光入射角為90°。使用惰性氣體及時(shí)將激光清洗后的污物吹離磁體表面，避免清潔表面再次污染和氧化，所述惰性氣體為氦氣。
[0057](2)真空蒸鍍Al薄膜的制備：
[0058]采用真空蒸鍍工藝在預(yù)處理后的磁體表面沉積一層Al薄膜，所述真空蒸鍍的工藝參數(shù)包括真空度為5×10-3Pa，蒸發(fā)電流為2900A，真空蒸鍍時(shí)間為80min。
[0059](3)激光重熔處理：
[0060]采用激光重熔技術(shù)對(duì)磁體表面沉積的Al薄膜進(jìn)行改性處理，提高Al薄膜的致密度以及與基體之間的結(jié)合力。所述激光重熔的工藝參數(shù)包括：激光功率為3000W，掃描速度為15mm/s，光斑尺寸為5mm，搭接系數(shù)為20％，并充入惰性氣體作為保護(hù)氣，所述惰性氣體為氦氣。
[0061]對(duì)照實(shí)施例3
[0062]為進(jìn)行對(duì)比，按實(shí)施例3中的步驟(1)和(2)在燒結(jié)釹鐵硼磁體表面沉積Al薄膜，未進(jìn)行激光重熔處理。
[0063]對(duì)實(shí)施例1，2，3制備的樣品和對(duì)照實(shí)施例1，2，3制備的樣品分別進(jìn)行中性鹽霧試驗(yàn)(鹽霧試驗(yàn)條件為：試驗(yàn)箱溫度為36±2℃，鹽水濃度為5wt％，采用連續(xù)噴霧的試驗(yàn)方式)以及鍍層結(jié)合力進(jìn)行測(cè)試，其具體結(jié)果見下表1。
[0064]表1樣品鹽霧測(cè)試和結(jié)合力測(cè)試結(jié)果
[0065]樣品結(jié)合力(MPa)鹽霧試驗(yàn)(h)實(shí)施例148.7289實(shí)施例250.2291實(shí)施例349.6288對(duì)照實(shí)施例112.996對(duì)照實(shí)施例213.198對(duì)照實(shí)施例312.696
[0066]從表1可以看出，與對(duì)照實(shí)施例1，2，3相比，實(shí)施例1，2，3樣品的結(jié)合力和耐鹽霧能力均得到顯著提高，說明采用激光清洗方法對(duì)磁體進(jìn)行預(yù)處理，并采用惰性氣體及時(shí)將污物吹離磁體表面，然后采用激光重熔技術(shù)對(duì)磁體表面Al薄膜進(jìn)行處理，能夠顯著提高磁體表面Al薄膜的致密度、與基體之間的結(jié)合力，從而大幅度提高磁體的耐腐蝕性能。
[0067]實(shí)施例4
[0068]如圖2-圖7所示，對(duì)比實(shí)施例一，其中本發(fā)明的另一種實(shí)施方式為：所述真空蒸鍍裝置包括有外殼1、坩堝2和調(diào)節(jié)夾具3；所述外殼1的內(nèi)部靠近外殼1的底面位置固連有坩堝2，且坩堝2的內(nèi)部用于放置蒸發(fā)材料；所述外殼1的內(nèi)部于坩堝2的頂部位置設(shè)有調(diào)節(jié)夾具3；所述調(diào)節(jié)夾具3包括有推桿4、電機(jī)5和轉(zhuǎn)動(dòng)壓塊6；所述外殼1的內(nèi)部側(cè)面開設(shè)有第一液壓槽7，且第一液壓槽7的數(shù)量為四；四個(gè)所述第一液壓槽7的內(nèi)部均滑動(dòng)連接有推桿4；其中相鄰的任意兩個(gè)所述推桿4的內(nèi)部均固連有電機(jī)5；四個(gè)所述推桿4的表面均轉(zhuǎn)動(dòng)連接有轉(zhuǎn)動(dòng)壓塊6；工作時(shí)，通過控制相對(duì)的兩個(gè)第一液壓槽7的內(nèi)部液壓，控制該對(duì)推桿4頂出，推桿4會(huì)帶動(dòng)對(duì)應(yīng)轉(zhuǎn)動(dòng)壓塊6擠壓燒結(jié)釹鐵硼磁體，對(duì)燒結(jié)釹鐵硼磁體進(jìn)行固定，然后通過控制對(duì)應(yīng)電機(jī)5轉(zhuǎn)動(dòng)，電機(jī)5會(huì)帶動(dòng)對(duì)應(yīng)轉(zhuǎn)動(dòng)壓塊6轉(zhuǎn)動(dòng)，轉(zhuǎn)動(dòng)壓塊6會(huì)帶動(dòng)燒結(jié)釹鐵硼磁體轉(zhuǎn)動(dòng)，使得燒結(jié)釹鐵硼磁體其中四個(gè)面，依次調(diào)整為向下方向，便于對(duì)燒結(jié)釹鐵硼磁體的該四個(gè)面進(jìn)行真空蒸鍍，完成該四個(gè)面的真空蒸鍍后，通過控制控制另外兩個(gè)推桿4導(dǎo)出第一液壓槽7，兩個(gè)推桿4會(huì)帶動(dòng)對(duì)應(yīng)轉(zhuǎn)動(dòng)壓塊6擠壓固定燒結(jié)釹鐵硼磁體，再將原有的兩個(gè)推桿4內(nèi)收，此時(shí)控制電機(jī)5轉(zhuǎn)動(dòng)，電機(jī)5會(huì)帶動(dòng)轉(zhuǎn)動(dòng)壓塊6轉(zhuǎn)動(dòng)，使得燒結(jié)釹鐵硼磁體轉(zhuǎn)動(dòng)，控制未真空蒸鍍的兩個(gè)表面切換到向下，實(shí)現(xiàn)了對(duì)燒結(jié)釹鐵硼磁體的表面完全蒸鍍處理。
[0069]所述外殼1的內(nèi)部表面于調(diào)節(jié)夾具3的頂部和底部位置均開設(shè)有第二液壓槽8；所述第二液壓槽8的內(nèi)部均滑動(dòng)連接有封板9；位于底部位置的所述封板9的頂面開設(shè)有均勻布置的進(jìn)氣孔10；位于頂部位置的所述封板9的底面開設(shè)有均勻布置的出氣孔11；工作時(shí)，通過設(shè)置兩個(gè)封板9，通過控制兩個(gè)封板9導(dǎo)出對(duì)應(yīng)得第二液壓槽8，兩個(gè)封板9會(huì)使得燒結(jié)釹鐵硼磁體處于完全密封的空間內(nèi)，然后控制進(jìn)氣孔10導(dǎo)氣入冷卻氣體，冷卻氣體會(huì)經(jīng)過燒結(jié)釹鐵硼磁體表面，并通過出氣孔11導(dǎo)出，實(shí)現(xiàn)了對(duì)燒結(jié)釹鐵硼磁體的降溫，后續(xù)更換對(duì)燒結(jié)釹鐵硼磁體的夾緊時(shí)，避免對(duì)已經(jīng)真空蒸鍍的Al薄膜產(chǎn)生損傷。
[0070]所述出氣孔11的內(nèi)部均滑動(dòng)連接有控制塊12；所述控制塊12的頂部均固連有彈簧13；工作時(shí)，通過設(shè)置控制塊12，且控制塊12受到彈簧13的預(yù)緊壓力，當(dāng)由于外殼1的內(nèi)部處于真空狀態(tài)，初始狀態(tài)下控制塊12會(huì)對(duì)出氣孔11進(jìn)行自動(dòng)封堵，隨著進(jìn)氣孔10不斷的導(dǎo)入氣體，兩個(gè)封板9之間的壓力增大，進(jìn)而控制塊12滑動(dòng)并擠壓彈簧13，使得出氣孔11自動(dòng)打開，保證了大量的冷卻氣體在燒結(jié)釹鐵硼磁體的周圍停留，實(shí)現(xiàn)快速降溫。
[0071]所述封板9的內(nèi)部靠近出氣孔11位置均開設(shè)有冷卻槽14，且冷卻槽14通過管道外接冷卻氣源；所述冷卻槽14的內(nèi)部均滑動(dòng)連接有彈性板15，且彈性板15均與對(duì)應(yīng)控制塊12的底面之間固定連接；所述彈性板15與對(duì)應(yīng)冷卻槽14的底面之間均固連有彈性片16；所述封板9的表面靠近出氣孔11位置均開設(shè)有斜孔17；所述出氣孔11的底部開口位置均固連有第一加熱板18；所述控制塊12的底面均固連有第二加熱板19；工作時(shí)，通過設(shè)置彈性板15和彈性片16，當(dāng)控制塊12向上移動(dòng)時(shí)，控制塊12會(huì)擠壓彈簧13，同時(shí)會(huì)拉動(dòng)對(duì)應(yīng)彈性板15，使得彈性板15導(dǎo)出對(duì)應(yīng)冷卻槽14，由于冷卻槽14的內(nèi)部外接有冷卻氣源，使得導(dǎo)出的彈性板15處于冷卻狀態(tài)，當(dāng)兩個(gè)封板9之間的壓力升高后，氣體會(huì)通過斜孔17導(dǎo)入出氣孔11的內(nèi)部，并通過彈性板15吸附氣體中的固體顆粒，實(shí)現(xiàn)對(duì)排出氣體的初步凈化，同時(shí)最終再通過棉完全凈化排出的氣體，完成對(duì)燒結(jié)釹鐵硼磁體的降溫后，控制塊12復(fù)位，在彈性片16的作用下，彈性板15回收入對(duì)應(yīng)冷卻槽14，并且回收的過程中，彈性板15表面的吸附顆粒物會(huì)被刮除，并聚集于第一加熱板18的表面，通過第一加熱板18和第二加熱板19的加熱，可以使得蒸發(fā)材料重新氣化，部分蒸發(fā)材料會(huì)通過斜孔17回導(dǎo)并被利用。
[0072]所述出氣孔11的內(nèi)部于斜孔17位置固連有導(dǎo)料彈片20；所述出氣孔11的內(nèi)部于導(dǎo)料彈片20的頂部位置固連有導(dǎo)管21，且導(dǎo)管21與對(duì)應(yīng)斜孔17之間均相互連通；工作時(shí)，通過設(shè)置導(dǎo)料彈片20，當(dāng)彈性板15表面的附作物被刮離后，會(huì)首先掉入導(dǎo)料彈片20的表面，導(dǎo)料彈片20可以避免刮離的附作物直接落入斜孔17，同時(shí)通過導(dǎo)管21，將斜孔17導(dǎo)入的氣體直接引入導(dǎo)料彈片20的上方位置，并且氣體的流動(dòng)可以使得導(dǎo)料彈片20的震動(dòng)，促進(jìn)雜質(zhì)物通過導(dǎo)料彈片20落入第一加熱板18的表面，完成對(duì)刮離的雜質(zhì)附著物的收集。
[0073]所述斜孔17的內(nèi)部均固連有連繩22；所述連繩22靠近導(dǎo)料彈片20的一側(cè)端面位置均固連有震動(dòng)球23；工作時(shí)，通過在斜孔17的內(nèi)部設(shè)置連繩22，連繩22的端部連有震動(dòng)球23，當(dāng)氣體通過斜孔17時(shí)，氣體會(huì)吹動(dòng)震動(dòng)球23，使得震動(dòng)球23在導(dǎo)料彈片20的底部位置不斷的晃動(dòng)，促進(jìn)對(duì)導(dǎo)料彈片20的震動(dòng)效果。
[0074]工作時(shí)，通過控制相對(duì)的兩個(gè)第一液壓槽7的內(nèi)部液壓，控制該對(duì)推桿4頂出，推桿4會(huì)帶動(dòng)對(duì)應(yīng)轉(zhuǎn)動(dòng)壓塊6擠壓燒結(jié)釹鐵硼磁體，對(duì)燒結(jié)釹鐵硼磁體進(jìn)行固定，然后通過控制對(duì)應(yīng)電機(jī)5轉(zhuǎn)動(dòng)，電機(jī)5會(huì)帶動(dòng)對(duì)應(yīng)轉(zhuǎn)動(dòng)壓塊6轉(zhuǎn)動(dòng)，轉(zhuǎn)動(dòng)壓塊6會(huì)帶動(dòng)燒結(jié)釹鐵硼磁體轉(zhuǎn)動(dòng)，使得燒結(jié)釹鐵硼磁體其中四個(gè)面，依次調(diào)整為向下方向，便于對(duì)燒結(jié)釹鐵硼磁體的該四個(gè)面進(jìn)行真空蒸鍍，完成該四個(gè)面的真空蒸鍍后，通過控制控制另外兩個(gè)推桿4導(dǎo)出第一液壓槽7，兩個(gè)推桿4會(huì)帶動(dòng)對(duì)應(yīng)轉(zhuǎn)動(dòng)壓塊6擠壓固定燒結(jié)釹鐵硼磁體，再將原有的兩個(gè)推桿4內(nèi)收，此時(shí)控制電機(jī)5轉(zhuǎn)動(dòng)，電機(jī)5會(huì)帶動(dòng)轉(zhuǎn)動(dòng)壓塊6轉(zhuǎn)動(dòng)，使得燒結(jié)釹鐵硼磁體轉(zhuǎn)動(dòng)，控制未真空蒸鍍的兩個(gè)表面切換到向下，實(shí)現(xiàn)了對(duì)燒結(jié)釹鐵硼磁體的表面完全蒸鍍處理；通過設(shè)置兩個(gè)封板9，通過控制兩個(gè)封板9導(dǎo)出對(duì)應(yīng)得第二液壓槽8，兩個(gè)封板9會(huì)使得燒結(jié)釹鐵硼磁體處于完全密封的空間內(nèi)，然后控制進(jìn)氣孔10導(dǎo)氣入冷卻氣體，冷卻氣體會(huì)經(jīng)過燒結(jié)釹鐵硼磁體表面，并通過出氣孔11導(dǎo)出，實(shí)現(xiàn)了對(duì)燒結(jié)釹鐵硼磁體的降溫，后續(xù)更換對(duì)燒結(jié)釹鐵硼磁體的夾緊時(shí)，避免對(duì)已經(jīng)真空蒸鍍的Al薄膜產(chǎn)生損傷；通過設(shè)置控制塊12，且控制塊12受到彈簧13的預(yù)緊壓力，當(dāng)由于外殼1的內(nèi)部處于真空狀態(tài)，初始狀態(tài)下控制塊12會(huì)對(duì)出氣孔11進(jìn)行自動(dòng)封堵，隨著進(jìn)氣孔10不斷的導(dǎo)入氣體，兩個(gè)封板9之間的壓力增大，進(jìn)而控制塊12滑動(dòng)并擠壓彈簧13，使得出氣孔11自動(dòng)打開，保證了大量的冷卻氣體在燒結(jié)釹鐵硼磁體的周圍停留，實(shí)現(xiàn)快速降溫；通過設(shè)置彈性板15和彈性片16，當(dāng)控制塊12向上移動(dòng)時(shí)，控制塊12會(huì)擠壓彈簧13，同時(shí)會(huì)拉動(dòng)對(duì)應(yīng)彈性板15，使得彈性板15導(dǎo)出對(duì)應(yīng)冷卻槽14，由于冷卻槽14的內(nèi)部外接有冷卻氣源，使得導(dǎo)出的彈性板15處于冷卻狀態(tài)，當(dāng)兩個(gè)封板9之間的壓力升高后，氣體會(huì)通過斜孔17導(dǎo)入出氣孔11的內(nèi)部，并通過彈性板15吸附氣體中的固體顆粒，實(shí)現(xiàn)對(duì)排出氣體的初步凈化，同時(shí)最終再通過棉完全凈化排出的氣體，完成對(duì)燒結(jié)釹鐵硼磁體的降溫后，控制塊12復(fù)位，在彈性片16的作用下，彈性板15回收入對(duì)應(yīng)冷卻槽14，并且回收的過程中，彈性板15表面的吸附顆粒物會(huì)被刮除，并聚集于第一加熱板18的表面，通過第一加熱板18和第二加熱板19的加熱，可以使得蒸發(fā)材料重新氣化，部分蒸發(fā)材料會(huì)通過斜孔17回導(dǎo)并被利用；通過設(shè)置導(dǎo)料彈片20，當(dāng)彈性板15表面的附作物被刮離后，會(huì)首先掉入導(dǎo)料彈片20的表面，導(dǎo)料彈片20可以避免刮離的附作物直接落入斜孔17，同時(shí)通過導(dǎo)管21，將斜孔17導(dǎo)入的氣體直接引入導(dǎo)料彈片20的上方位置，并且氣體的流動(dòng)可以使得導(dǎo)料彈片20的震動(dòng)，促進(jìn)雜質(zhì)物通過導(dǎo)料彈片20落入第一加熱板18的表面，完成對(duì)刮離的雜質(zhì)附著物的收集；通過在斜孔17的內(nèi)部設(shè)置連繩22，連繩22的端部連有震動(dòng)球23，當(dāng)氣體通過斜孔17時(shí)，氣體會(huì)吹動(dòng)震動(dòng)球23，使得震動(dòng)球23在導(dǎo)料彈片20的底部位置不斷的晃動(dòng)，促進(jìn)對(duì)導(dǎo)料彈片20的震動(dòng)效果。
[0075]上述前、后、左、右、上、下均以說明書附圖中的圖1為基準(zhǔn)，按照人物觀察視角為標(biāo)準(zhǔn)，裝置面對(duì)觀察者的一面定義為前，觀察者左側(cè)定義為左，依次類推。
[0076]在本發(fā)明的描述中，需要理解的是，術(shù)語“中心”、“縱向”、“橫向”、“前”、“后”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“頂”、“底”“內(nèi)”、“外”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本發(fā)明和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對(duì)本發(fā)明保護(hù)范圍的限制。
[0077]以上顯示和描述了本發(fā)明的基本原理、主要特征和優(yōu)點(diǎn)。本行業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)該了解，本發(fā)明不受上述實(shí)施例的限制，上述實(shí)施例和說明書中描述的只是說明本發(fā)明的原理，在不脫離本發(fā)明精神和范圍的前提下，本發(fā)明還會(huì)有各種變化和改進(jìn)，這些變化和改進(jìn)都落入要求保護(hù)的本發(fā)明范圍內(nèi)。本發(fā)明要求保護(hù)范圍由所附的權(quán)利要求書及其等效物界定。
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