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電子束梯度熔煉提純多晶硅的方法

1165   編輯：管理員   來(lái)源：中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-18 14:32:43
本發(fā)明一種電子束梯度熔煉提純多晶硅的方法屬于用物理冶金技術(shù)提純多晶硅的技術(shù)領(lǐng)域,涉及一種利用電子束熔煉技術(shù)去除多晶硅中磷和金屬雜質(zhì)的方法。該方法采用改變電子束束流大小,產(chǎn)生能量大小不同分布,去除揮發(fā)性雜質(zhì)磷的同時(shí)實(shí)現(xiàn)定向凝固效果。首先取磷和金屬雜質(zhì)含量高的硅料洗凈、烘干后置于電子束熔煉爐中,然后以高束流電子束完全熔化硅料;此后逐漸降低電子束的束流,在小束流下保溫;關(guān)閉束流后冷卻,最后取出硅錠,切去硅錠的頂部得到磷和金屬雜質(zhì)含量較低的硅錠。本發(fā)明去除磷和金屬雜質(zhì)效果好,采用電子束除磷和定向凝固去除金屬的雙重作用,提高提純效率,減少工藝環(huán)節(jié),技術(shù)穩(wěn)定,周期短,節(jié)約能源,成本低。
聲明：
“電子束梯度熔煉提純多晶硅的方法” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究，如用于商業(yè)用途，請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專(zhuān)利(論文)的發(fā)明人(作者)
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