本發(fā)明提供一種熱電應(yīng)力下的Flash存儲器擦寫性能評價方法,步驟如下:一:Flash存儲器初篩,對器件樣品做一次全片擦寫讀測試,剔除已失效的器件;二:選擇擦寫測試算法,選擇試驗溫度分組,模擬不同強度的環(huán)境應(yīng)力;三:進行擦寫循環(huán)試驗,記錄各溫度組的讀出數(shù)據(jù)錯誤數(shù)量,器件全部失效或到達(dá)預(yù)設(shè)試驗時間試驗停止;四:篩選試驗數(shù)據(jù),計算各溫度組的平均無故障工作時間θ;五:計算環(huán)境溫度與該溫度平均無故障工作時間函數(shù)關(guān)系;六:求出常溫下平均無故障工作時間;七:根據(jù)擦寫循環(huán)試驗中,單次循環(huán)所用時間和擦寫次數(shù),計算常溫下耐擦寫次數(shù);八:與該型號器件理論耐擦寫次數(shù)比較,評價該批次器件擦寫性能是否滿足要求;通過以上步驟,可以利用擦寫次數(shù)評價Flash存儲器的擦寫性能,減少試驗時間,為Flash存儲器測試與評價提供充分的可靠性依據(jù),具有實際推廣應(yīng)用價值。
聲明:
“熱電應(yīng)力下的Flash存儲器擦寫性能評價方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)