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3D化合物半導體芯片的檢測方法

702   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-19 08:58:15
本發(fā)明公開了一種3D化合物半導體芯片的檢測方法,涉及3D化合物半導體芯片結(jié)構(gòu)檢測技術(shù)領(lǐng)域。微波檢測方法,包括一個檢測臺所述檢測臺中部開設(shè)有一條兩端貫通的滑槽,滑槽兩側(cè)內(nèi)壁均固定連接有直角側(cè)板,兩個直角側(cè)板之間轉(zhuǎn)動連接有一排滾軸,芯片裝載底板通過機械臂放置于滾軸表面。本發(fā)明通過檢測臺、檢測箱和檢測箱內(nèi)部結(jié)構(gòu)的設(shè)置,其具有不與芯片接觸,不破壞芯片、無污染和非金屬應有的特點,與被檢測的芯片不需要直接的接觸,能夠距離芯片一定的距離或間隙進行檢測,不會破壞芯片本身機構(gòu),屬于無損檢測,并在在這個檢測的過程中,不需要對芯片通電,不需要耦合劑,避免耦合劑對芯片造成的污染。
聲明:
“3D化合物半導體芯片的檢測方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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無損檢測
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