本發(fā)明屬于二維材料異質(zhì)結(jié)光探測(cè)領(lǐng)域,公開(kāi)了一種二維硫化鉬/硫化銦橫向異質(zhì)結(jié)及其制備方法和應(yīng)用。該二維硫化鉬/硫化銦橫向異質(zhì)結(jié)是通過(guò)化學(xué)氣相沉積法先將二氧化硅片平放在三氧化鉬粉末的上方,置于管式爐的中間,將升華硫粉末放置在管式爐氣流上游;在氮?dú)鈿夥障?,升溫?80~800℃保溫,在二氧化硅襯底上制得單層二維硫化鉬單晶,通過(guò)濕法將單層二硫化鉬轉(zhuǎn)移至云母片上;然后將云母片平放在三硫化二銦粉末的上方,放置在管式爐中間;升溫至750~980℃保溫,自然冷卻制得。本發(fā)明方法簡(jiǎn)單,反應(yīng)條件易于控制,生長(zhǎng)的二維異質(zhì)結(jié)穩(wěn)定,該異質(zhì)結(jié)經(jīng)過(guò)光刻,顯影等步驟后,可成功在異質(zhì)結(jié)兩端搭建電極,具有良好的光探測(cè)應(yīng)用前景。
聲明:
“二維硫化鉬/硫化銦橫向異質(zhì)結(jié)及其制備方法和應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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