本發(fā)明涉及
芯片尺度溫度測量技術領域,更具體地,涉及一種全光調諧溫度傳感器及其制備方法。包括以下步驟,1)采用熱蒸鍍的方法在具有二氧化硅犧牲層的硅片上沉積硫系薄膜,利用電子束曝光、反應離子刻蝕及濕法化學腐蝕等工藝在硫系薄膜表面加工自由站立的微盤諧振器主體;2)在微盤諧振器主體上選擇性地沉積光致熱敏材料作為吸收層,即可完成溫度傳感器的制作;本發(fā)明還公開了一種全光調諧的溫度傳感器,從下往上包括硅片、二氧化硅犧牲層、圖形化的硫系薄膜和光致熱敏材料吸收層;本發(fā)明利用光致熱敏材料對光強吸收后易發(fā)熱的機理,來增強硫系微盤諧振器的熱響應度,從而有效提高全光調諧溫度傳感器的探測靈敏度。
聲明:
“全光調諧溫度傳感器及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)