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用于諾氟沙星分子印跡電化學(xué)傳感器的修飾電極及其制備方法

731   編輯：管理員   來(lái)源：中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-19 06:57:45
本發(fā)明涉及一種用于諾氟沙星分子印跡電化學(xué)傳感器的修飾電極及其制備方法。采用諾氟沙星為模板分子、甲基丙烯酸為功能單體，乙二醇二甲基丙烯酸酯為交聯(lián)劑，通過(guò)熱聚合法制備三維網(wǎng)絡(luò)的多壁碳納米管表面嫁接分子印跡聚合物MWCNTs?MIP納米修飾材料，并將其修飾到基底電極表面。所述三維網(wǎng)絡(luò)多壁碳納米管表面嫁接分子印跡聚合物MWCNTs?MIP納米修飾材料制備電極具有孔隙度高、比表面積大、導(dǎo)電能力強(qiáng)和生物相容性好的優(yōu)點(diǎn)。將所述修飾電極用于電化學(xué)傳感器，對(duì)諾氟沙星分子具有良好的檢測(cè)響應(yīng)，其線性范圍為0.003?0.391μmol/L和0.391?3.125μmol/L，檢測(cè)下限為1.58nmol/L?？蓱?yīng)用于膠囊制劑和血漿樣品中諾氟沙星的含量檢測(cè)。
聲明：
“用于諾氟沙星分子印跡電化學(xué)傳感器的修飾電極及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究，如用于商業(yè)用途，請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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