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IGBT模塊壽命的統(tǒng)計方法、裝置、電子設(shè)備及存儲介質(zhì)

753   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-19 09:01:43
本公開提供一種IGBT模塊壽命的統(tǒng)計方法、裝置、電子設(shè)備及存儲介質(zhì),所述方法包括獲取待測IGBT模塊的集電極與發(fā)射極之間的電壓值隨功率循環(huán)次數(shù)變化的變化曲線;以所述待測IGBT模塊內(nèi)的所有鍵合點為子樣本,獲取所述變化曲線上每個電壓突變點對應(yīng)的功率循環(huán)次數(shù)和鍵合點的總失效率;根據(jù)所述變化曲線上所有電壓突變點對應(yīng)的功率循環(huán)次數(shù)和鍵合點的總失效率,得到鍵合點的總失效率與功率循環(huán)次數(shù)的關(guān)系式;根據(jù)鍵合點的總失效率與功率循環(huán)次數(shù)的關(guān)系式,獲得預(yù)設(shè)鍵合點失效率對應(yīng)的功率循環(huán)次數(shù),以得到所述待測IGBT模塊的循環(huán)壽命。該方法可以減少IGBT模塊樣本數(shù)量并節(jié)省大量的試驗時間,經(jīng)濟(jì)成本和時間成本得到很好的控制。
聲明:
“IGBT模塊壽命的統(tǒng)計方法、裝置、電子設(shè)備及存儲介質(zhì)” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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