權(quán)利要求書： 1.一種脈沖激發(fā)式電磁超聲檢測(cè)儀，其特征在于，包括：

可編程ASIC器件，用于生成多路信號(hào)，其中，所述多路信號(hào)包括四路發(fā)射控制信號(hào)和充電控制信號(hào)；

電壓轉(zhuǎn)換電路，與所述可編程ASIC器件相連接，用于在接收到所述充電控制信號(hào)時(shí)將低電壓信號(hào)轉(zhuǎn)換成高電壓信號(hào)；

發(fā)射電路，與所述可編程ASIC器件和所述電壓轉(zhuǎn)換電路相連接，用于根據(jù)所述發(fā)射控制信號(hào)和所述高電壓信號(hào)生成高電壓大電流的激勵(lì)信號(hào)；

電磁超聲傳感器，與所述發(fā)射電路相連接，用于根據(jù)所述激勵(lì)信號(hào)生成超聲信號(hào)，并接收回波信號(hào)，其中，所述回波信號(hào)為所述超聲信號(hào)在傳播過程中遇到待檢結(jié)構(gòu)缺陷和邊界時(shí)的反射信號(hào)；

接收信號(hào)調(diào)理及采樣電路，與所述電磁超聲傳感器相連接，用于對(duì)所述回波信號(hào)進(jìn)行處理和采樣，得到波形數(shù)據(jù)點(diǎn)并寫入所述可編程ASIC器件內(nèi)部的存儲(chǔ)單元。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測(cè)儀，其特征在于，所述電壓轉(zhuǎn)換電路包括：低壓電源，用于提供低電壓信號(hào)；

充電控制電路，與所述可編程ASIC器件和所述低壓電源相連接，所述充電控制電路在接收到所述充電控制信號(hào)時(shí)，控制所述低壓電源為高壓電容充電；

所述高壓電容，與所述充電控制電路和所述發(fā)射電路相連接，經(jīng)所述低壓電源充電至高電壓，為所述發(fā)射電路提供所述高電壓信號(hào)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測(cè)儀，其特征在于，所述發(fā)射電路包括：四路高速隔離電路，與所述可編程ASIC器件相連接，其中，所述四路高速隔離電路根據(jù)所述四路發(fā)射控制信號(hào)輸出四路模擬輸入信號(hào)，并對(duì)所述四路發(fā)射控制信號(hào)與所述四路模擬輸入信號(hào)進(jìn)行隔離，所述四路模擬輸入信號(hào)包括第一組模擬輸入信號(hào)和第二組模擬輸入信號(hào)，所述第一組模擬輸入信號(hào)與所述第二組模擬輸入信號(hào)分別包括兩路極性相同的模擬輸入信號(hào)，所述第一組模擬輸入信號(hào)與所述第二組模擬輸入信號(hào)的極性相反；

四路電壓電流放大電路，與所述四路高速隔離電路相連接，用于將所述第一組模擬輸入信號(hào)和所述第二組模擬輸入信號(hào)進(jìn)行放大，得到第一組驅(qū)動(dòng)信號(hào)和第二組驅(qū)動(dòng)信號(hào)；

全橋高壓大電流開關(guān)電路，與所述四路電壓電流放大電路和所述電壓轉(zhuǎn)換電路相連接，其中，所述電壓轉(zhuǎn)換電路為所述全橋高壓大電流開關(guān)電路提供所述高電壓信號(hào)，所述全橋高壓大電流開關(guān)電路根據(jù)所述第一組驅(qū)動(dòng)信號(hào)和所述第二組驅(qū)動(dòng)信號(hào)調(diào)整運(yùn)行狀態(tài)，所述運(yùn)行狀態(tài)包括導(dǎo)通或者截止；

高壓變壓器轉(zhuǎn)換電路，與所述全橋高壓大電流開關(guān)電路相連接，用于根據(jù)所述全橋高壓大電流開關(guān)電路的導(dǎo)通或者截止，生成所述激勵(lì)信號(hào)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的檢測(cè)儀，其特征在于，所述全橋高壓大電流開關(guān)電路包括：第一開關(guān)組，與所述四路電壓電流放大電路相連接，在所述第一組驅(qū)動(dòng)信號(hào)的電壓滿足第一預(yù)設(shè)電壓時(shí)，所述第一開關(guān)組導(dǎo)通；

第二開關(guān)組，與所述四路電壓電流放大電路相連接，在所述第二組驅(qū)動(dòng)信號(hào)的電壓滿足第二預(yù)設(shè)電壓時(shí)，所述第二開關(guān)組導(dǎo)通。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的檢測(cè)儀，其特征在于，

所述第一開關(guān)組包括左臂高端開關(guān)和右臂低端開關(guān)，在所述第一組驅(qū)動(dòng)信號(hào)的電壓滿足第一預(yù)設(shè)電壓時(shí)所述左臂高端開關(guān)和所述右臂低端開關(guān)導(dǎo)通；

所述第二開關(guān)組包括左臂低端開關(guān)和右臂高端開關(guān)，在所述第二組驅(qū)動(dòng)信號(hào)的電壓滿足第二預(yù)設(shè)電壓時(shí)所述左臂低端開關(guān)和所述右臂高端開關(guān)導(dǎo)通。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的檢測(cè)儀，其特征在于，所述高壓變壓器轉(zhuǎn)換電路包括：調(diào)諧電路，與所述左臂高端開關(guān)和所述左臂低端開關(guān)相連接；

高壓變壓器，所述高壓變壓器的原邊的第一端與調(diào)諧電路相連接，所述高壓變壓器的原邊的第二端與所述右臂高端開關(guān)和所述右臂低端開關(guān)相連接，所述高壓變壓器的副邊的第一端接地，所述高壓變壓器的副邊的第二端與所述電磁超聲傳感器相連接。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測(cè)儀，其特征在于，所述檢測(cè)儀還包括：處理器單元，與所述可編程ASIC器件相連接，用于接收參數(shù)，其中，所述可編程ASIC器件根據(jù)所述參數(shù)生成所述多路信號(hào)；

波形數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元，與所述處理器單元相連接，其中，所述處理器單元從所述可編程ASIC器件內(nèi)部的存儲(chǔ)單元讀取所述波形數(shù)據(jù)點(diǎn)，將所述波形數(shù)據(jù)點(diǎn)存儲(chǔ)在所述波形數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元中。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測(cè)儀，其特征在于，所述接收信號(hào)調(diào)理及采樣電路包括：接收信號(hào)調(diào)理電路，與所述電磁超聲傳感器相連接，用于對(duì)所述回波信號(hào)進(jìn)行處理，得到處理后的回波信號(hào)；

模數(shù)轉(zhuǎn)換電路，與所述接收信號(hào)調(diào)理電路相連接，用于對(duì)所述處理后的回波信號(hào)進(jìn)行采樣得到所述波形數(shù)據(jù)點(diǎn)。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的檢測(cè)儀，其特征在于，所述接收信號(hào)調(diào)理電路包括：限幅電路，與所述電磁超聲傳感器相連接；

低噪聲前置放大電路，與所述限幅電路相連接；

固定增益放大電路，與所述低噪聲前置放大電路相連接；

帶通濾波電路，與所述固定增益放大電路相連接；

第一級(jí)程控放大電路，與所述帶通濾波電路相連接；

第二級(jí)程控放大電路，與所述第一級(jí)程控放大電路相連接；

低通濾波電路，與所述第二級(jí)程控放大電路相連接。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的檢測(cè)儀，其特征在于，所述多路信號(hào)包括增益設(shè)定信號(hào)和頻率選擇信號(hào)，所述接收信號(hào)調(diào)理及采樣電路包括：增益電壓設(shè)置電路，與所述可編程ASIC器件、所述第一級(jí)程控放大電路和所述第二級(jí)程控放大電路相連接，用于根據(jù)所述增益設(shè)定信號(hào)輸出電壓信號(hào)，所述電壓信號(hào)用于設(shè)置所述第一級(jí)程控放大電路和所述第二級(jí)程控放大電路的增益；

截止頻率選擇電路，與所述可編程ASIC器件和所述帶通濾波電路相連接，用于根據(jù)所述頻率選擇信號(hào)設(shè)置所述帶通濾波電路的截止頻率。

說(shuō)明書： 脈沖激發(fā)式電磁超聲檢測(cè)儀技術(shù)領(lǐng)域[0001] 本發(fā)明涉及超聲檢測(cè)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種脈沖激發(fā)式電磁超聲檢測(cè)儀。背景技術(shù)[0002] 超聲檢測(cè)技術(shù)廣泛應(yīng)用于金屬設(shè)備的測(cè)厚、探傷等場(chǎng)合。相對(duì)于傳統(tǒng)的壓電超聲檢測(cè)技術(shù)，電磁超聲在對(duì)金屬設(shè)備進(jìn)行檢測(cè)時(shí)，不需要對(duì)其表面進(jìn)行打磨，可節(jié)省檢測(cè)時(shí)間和成本，適用于帶防銹漆及不允許打磨的場(chǎng)合；電磁超聲檢測(cè)不需要使用耦合劑，可避免因耦合劑的揮發(fā)或涂抹不均勻?qū)е碌臋z測(cè)結(jié)果重復(fù)性差的問題；由于電磁超聲傳感器可實(shí)現(xiàn)非接觸式檢測(cè)，特別適用于高溫檢測(cè)場(chǎng)合。另外，由于電磁超聲傳感器相對(duì)于壓電傳感器而言，價(jià)格相對(duì)便宜且更便于設(shè)計(jì)制造，是金屬設(shè)備無(wú)損檢測(cè)領(lǐng)域迫切需要大力發(fā)展的一種技術(shù)。[0003] 但現(xiàn)有電磁超聲檢測(cè)儀器，難以在低功耗及低壓電池供電的條件下，依然發(fā)射高電壓、大電流的激勵(lì)信號(hào)，限制了電磁超聲檢測(cè)技術(shù)在便攜式、在線監(jiān)測(cè)、多通道陣列檢測(cè)等場(chǎng)合的應(yīng)用。[0004] 針對(duì)上述的問題，目前尚未提出有效的解決方案。發(fā)明內(nèi)容[0005] 本發(fā)明實(shí)施例提供了一種脈沖激發(fā)式電磁超聲檢測(cè)儀，以至少解決現(xiàn)有電磁超聲測(cè)厚儀器無(wú)法在小體積、低功耗、及低壓電池供電的條件下，發(fā)射高壓大電流激勵(lì)信號(hào)的技術(shù)問題。[0006] 根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的一個(gè)方面，提供了一種脈沖激發(fā)式電磁超聲檢測(cè)儀，包括：可編程ASIC器件，用于生成多路信號(hào)，其中，所述多路信號(hào)包括四路發(fā)射控制信號(hào)和充電控制信號(hào)；電壓轉(zhuǎn)換電路，與所述可編程ASIC器件相連接，用于在接收到所述充電控制信號(hào)時(shí)將低電壓信號(hào)轉(zhuǎn)換成高電壓信號(hào)；發(fā)射電路，與所述可編程ASIC器件和所述電壓轉(zhuǎn)換電路相連接，用于根據(jù)所述發(fā)射控制信號(hào)和所述高電壓信號(hào)生成高電壓大電流的激勵(lì)信號(hào)；電磁超聲傳感器，與所述發(fā)射電路相連接，用于根據(jù)所述激勵(lì)信號(hào)生成超聲信號(hào)，并接收回波信號(hào)，其中，所述回波信號(hào)為所述超聲信號(hào)在傳播過程中遇到待檢結(jié)構(gòu)缺陷和邊界時(shí)的反射信號(hào)；接收信號(hào)調(diào)理及采樣電路，與所述電磁超聲傳感器相連接，用于對(duì)所述超聲回波信號(hào)進(jìn)行處理和采樣，得到波形數(shù)據(jù)點(diǎn)并寫入所述可編程ASIC器件內(nèi)部的存儲(chǔ)單元。[0007] 進(jìn)一步地，所述電壓轉(zhuǎn)換電路包括：低壓電源，用于提供低電壓信號(hào)；充電控制電路，與所述可編程ASIC器件和所述低壓電源相連接，所述充電控制電路在接收到所述充電控制信號(hào)時(shí)，控制所述低壓電源為高壓電容充電；所述高壓電容，與所述充電控制電路和所述發(fā)射電路相連接，經(jīng)所述低壓電源充電至高電壓，為所述發(fā)射電路提供所述高電壓信號(hào)。[0008] 進(jìn)一步地，四路高速隔離電路，與所述可編程ASIC器件相連接，其中，所述四路高速隔離電路根據(jù)所述四路發(fā)射控制信號(hào)輸出四路模擬輸入信號(hào)，并對(duì)所述四路發(fā)射控制信號(hào)與所述四路模擬輸入信號(hào)進(jìn)行隔離，所述四路模擬輸入信號(hào)包括第一組模擬輸入信號(hào)和第二組模擬輸入信號(hào)，所述第一組模擬輸入信號(hào)與所述第二組模擬輸入信號(hào)分別包括兩路極性相同的模擬輸入信號(hào)，所述第一組模擬輸入信號(hào)與所述第二組模擬輸入信號(hào)的極性相反；四路電壓電流放大電路，與所述四路高速隔離電路相連接，用于將所述第一組模擬輸入信號(hào)和所述第二組模擬輸入信號(hào)進(jìn)行放大，得到第一組驅(qū)動(dòng)信號(hào)和第二組驅(qū)動(dòng)信號(hào)；全橋高壓大電流開關(guān)電路，與所述四路電壓電流放大電路和所述電壓轉(zhuǎn)換電路相連接，其中，所述電壓轉(zhuǎn)換電路為所述全橋高壓大電流開關(guān)電路提供所述高電壓信號(hào)，所述全橋高壓大電流開關(guān)電路根據(jù)所述第一組驅(qū)動(dòng)信號(hào)和所述第二組驅(qū)動(dòng)信號(hào)調(diào)整運(yùn)行狀態(tài)，所述運(yùn)行狀態(tài)包括導(dǎo)通或者截止；高壓變壓器轉(zhuǎn)換電路，與所述全橋高壓大電流開關(guān)電路相連接，用于根據(jù)所述全橋高壓大電流開關(guān)電路的導(dǎo)通或者截止，生成所述激勵(lì)信號(hào)。[0009] 進(jìn)一步地，所述全橋高壓大電流開關(guān)電路包括：第一開關(guān)組，與所述四路電壓電流放大電路相連接，在所述第一組驅(qū)動(dòng)信號(hào)的電壓滿足第一預(yù)設(shè)電壓時(shí)，所述第一開關(guān)組導(dǎo)通；第二開關(guān)組，與所述四路電壓電流放大電路相連接，在所述第二組驅(qū)動(dòng)信號(hào)的電壓滿足第二預(yù)設(shè)電壓時(shí)，所述第二開關(guān)組導(dǎo)通。[0010] 進(jìn)一步地，所述第一開關(guān)組包括左臂高端開關(guān)和右臂低端開關(guān)，在所述第一組驅(qū)動(dòng)信號(hào)的電壓滿足第一預(yù)設(shè)電壓時(shí)所述左臂高端開關(guān)和所述右臂低端開關(guān)導(dǎo)通；所述第二開關(guān)組包括左臂低端開關(guān)和右臂高端開關(guān)，在所述第二組驅(qū)動(dòng)信號(hào)的電壓滿足第二預(yù)設(shè)電壓時(shí)所述左臂低端開關(guān)和所述右臂高端開關(guān)導(dǎo)通。[0011] 進(jìn)一步地，所述高壓變壓器轉(zhuǎn)換電路包括：調(diào)諧電路，與所述左臂高端開關(guān)和所述左臂低端開關(guān)相連接；高壓變壓器，所述高壓變壓器的原邊的第一端與調(diào)諧電路相連接，所述高壓變壓器的原邊的第二端與所述右臂高端開關(guān)和所述右臂低端開關(guān)相連接，所述高壓變壓器的副邊的第一端接地，所述高壓變壓器的副邊的第二端與所述電磁超聲傳感器相連接。[0012] 進(jìn)一步地，所述檢測(cè)儀還包括：處理器單元，與所述可編程ASIC器件相連接，用于接收參數(shù)，其中，所述可編程ASIC器件根據(jù)所述參數(shù)生成所述多路信號(hào)；波形數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元，與所述處理器單元相連接，其中，所述處理器單元從所述可編程ASIC器件內(nèi)部的存儲(chǔ)單元讀取所述波形數(shù)據(jù)點(diǎn)，將所述波形數(shù)據(jù)點(diǎn)存儲(chǔ)在所述波形數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元中。[0013] 進(jìn)一步地，所述接收信號(hào)調(diào)理及采樣電路包括：接收信號(hào)調(diào)理電路，與所述電磁超聲傳感器相連接，用于對(duì)所述回波信號(hào)進(jìn)行處理，得到處理后的回波信號(hào)；模數(shù)轉(zhuǎn)換電路，與所述接收信號(hào)調(diào)理電路相連接，用于對(duì)所述處理后的回波信號(hào)進(jìn)行采樣得到所述波形數(shù)據(jù)點(diǎn)。[0014] 進(jìn)一步地，所述接收信號(hào)調(diào)理電路包括：限幅電路，與所述電磁超聲傳感器相連接；低噪聲前置放大電路，與所述限幅電路相連接；固定增益放大電路，與所述低噪聲前置放大電路相連接；帶通濾波電路，與所述固定增益放大電路相連接；第一級(jí)程控放大電路，與所述帶通濾波電路相連接；第二級(jí)程控放大電路，與所述第一級(jí)程控放大電路相連接；低通濾波電路，與所述第二級(jí)程控放大電路相連接。[0015] 進(jìn)一步地，所述多路信號(hào)包括增益設(shè)定信號(hào)和頻率選擇信號(hào)，所述接收信號(hào)調(diào)理及采樣電路包括：增益電壓設(shè)置電路，與所述可編程ASIC器件、所述第一級(jí)程控放大電路和所述第二級(jí)程控放大電路相連接，用于根據(jù)所述增益設(shè)定信號(hào)輸出電壓信號(hào)，所述電壓信號(hào)用于設(shè)置所述第一級(jí)程控放大電路和所述第二級(jí)程控放大電路的增益；截止頻率選擇電路，與所述可編程ASIC器件和所述帶通濾波電路相連接，用于根據(jù)所述頻率選擇信號(hào)設(shè)置所述帶通濾波電路的截止頻率。[0016] 在本發(fā)明實(shí)施例中，采用可編程ASIC器件，用于生成多路信號(hào)，其中，所述多路信號(hào)包括多路發(fā)射控制信號(hào)和充電控制信號(hào)；電壓轉(zhuǎn)換電路，與所述可編程ASIC器件相連接，用于在接收到所述充電控制信號(hào)時(shí)將低電壓信號(hào)轉(zhuǎn)換成高電壓信號(hào)；發(fā)射電路，與所述可編程ASIC器件和所述電壓轉(zhuǎn)換電路相連接，用于根據(jù)所述發(fā)射控制信號(hào)和所述高電壓信號(hào)生成高電壓大電流的激勵(lì)信號(hào)；電磁超聲傳感器，與所述發(fā)射電路相連接，用于根據(jù)所述激勵(lì)信號(hào)生成超聲信號(hào)，并接收所述回波信號(hào)；接收信號(hào)調(diào)理及采樣電路，與所述電磁超聲傳感器和所述可編程ASIC器件相連接，用于對(duì)所述反射信號(hào)進(jìn)行處理和采樣，得到波形數(shù)據(jù)點(diǎn)并寫入所述可編程ASIC器件內(nèi)部的存儲(chǔ)單元。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的脈沖激發(fā)式電磁超聲檢測(cè)儀達(dá)到了在小體積、低功耗和低電壓供電的條件下發(fā)射高電壓、大電流激勵(lì)信號(hào)的目的，從而實(shí)現(xiàn)了減小脈沖激發(fā)式電磁超聲檢測(cè)儀功耗的技術(shù)效果，進(jìn)而解決了現(xiàn)有電磁超聲測(cè)厚儀器無(wú)法在小體積、低功耗、及低壓電池供電的條件下，發(fā)射高壓大電流的技術(shù)問題。附圖說(shuō)明[0017] 此處所說(shuō)明的附圖用來(lái)提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，構(gòu)成本申請(qǐng)的一部分，本發(fā)明的示意性實(shí)施例及其說(shuō)明用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的不當(dāng)限定。在附圖中：[0018] 圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的一種可選的脈沖激發(fā)式電磁超聲檢測(cè)儀的結(jié)構(gòu)圖；[0019] 圖2是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的一種可選的脈沖激發(fā)式電磁超聲檢測(cè)儀的工作流程圖。具體實(shí)施方式[0020] 為了使本技術(shù)領(lǐng)域的人員更好地理解本發(fā)明方案，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分的實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都應(yīng)當(dāng)屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。[0021] 需要說(shuō)明的是，本發(fā)明的說(shuō)明書和權(quán)利要求書及上述附圖中的術(shù)語(yǔ)“第一”、“第二”等是用于區(qū)別類似的對(duì)象，而不必用于描述特定的順序或先后次序。應(yīng)該理解這樣使用的數(shù)據(jù)在適當(dāng)情況下可以互換，以便這里描述的本發(fā)明的實(shí)施例能夠以除了在這里圖示或描述的那些以外的順序?qū)嵤４送?，術(shù)語(yǔ)“包括”和“具有”以及他們的任何變形，意圖在于覆蓋不排他的包含，例如，包含了一系列步驟或單元的過程、方法、系統(tǒng)、產(chǎn)品或設(shè)備不必限于清楚地列出的那些步驟或單元，而是可包括沒有清楚地列出的或?qū)τ谶@些過程、方法、產(chǎn)品或設(shè)備固有的其它步驟或單元。[0022] 根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，提供了一種脈沖激發(fā)式電磁超聲檢測(cè)儀的實(shí)施例，該脈沖激發(fā)式電磁超聲檢測(cè)儀可以應(yīng)用于超聲波測(cè)厚以及超聲波探傷等領(lǐng)域，并且根據(jù)該檢測(cè)儀可以很容易地衍生出超聲波測(cè)厚儀以及超聲波探傷儀等儀器設(shè)備。[0023] 圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的一種脈沖激發(fā)式電磁超聲檢測(cè)儀的結(jié)構(gòu)圖，如圖1所示，該檢測(cè)儀包括：[0024] 可編程ASIC器件101，用于生成多路信號(hào)，其中，多路信號(hào)包括多四路發(fā)射控制信號(hào)和充電控制信號(hào)。[0025] 在本發(fā)明實(shí)施例中，可編程ASIC器件可以采用FPGA或者CPLD來(lái)實(shí)現(xiàn)其功能，具體地，可編程ASIC器件用于生成多路控制信號(hào)，包括四路發(fā)射控制信號(hào)和充電控制信號(hào)，其中，可編程ASIC器件根據(jù)預(yù)先設(shè)定好的參數(shù)，按照預(yù)設(shè)頻率生成四路發(fā)射控制信號(hào)，生成的發(fā)射制信號(hào)為數(shù)字信號(hào)，四路發(fā)射控制信號(hào)包括兩路極性相同的發(fā)射控制信號(hào)和兩路極性與之相反的發(fā)射控制信號(hào)，并且四路發(fā)射控制信號(hào)均為有限個(gè)周期的方波信號(hào)。[0026] 電壓轉(zhuǎn)換電路102，與可編程ASIC器件相連接，用于在接收到充電控制信號(hào)時(shí)將低電壓信號(hào)轉(zhuǎn)換成高電壓信號(hào)。[0027] 在本發(fā)明實(shí)施例中，電壓轉(zhuǎn)換電路接收可編程ASIC器件生成的充電控制信號(hào)，在充電控制信號(hào)的控制下，實(shí)現(xiàn)將低電壓信號(hào)轉(zhuǎn)換成高電壓信號(hào)，其中，轉(zhuǎn)換成的高電壓信號(hào)用于為脈沖激發(fā)式電磁超聲檢測(cè)儀中的全橋高壓大電流開關(guān)電路供電，生成高電壓大電流的激勵(lì)信號(hào)。[0028] 發(fā)射電路103，與可編程ASIC器件和電壓轉(zhuǎn)換電路相連接，用于根據(jù)發(fā)射控制信號(hào)和高電壓信號(hào)生成高電壓大電流的激勵(lì)信號(hào)。[0029] 在本發(fā)明實(shí)施例中，發(fā)射電路根據(jù)可編程ASIC器件生成的四路發(fā)射控制信號(hào)，在電壓轉(zhuǎn)換電路提供的高電壓信號(hào)下，輸出高壓大電流激勵(lì)信號(hào)。具體地，可編程ASIC器件先生成充電控制信號(hào)，控制電壓轉(zhuǎn)換電路將低電壓信號(hào)轉(zhuǎn)換成高電壓信號(hào)，隨后，可編程ASIC器件生成四路發(fā)射控制信號(hào)，控制發(fā)射電路根據(jù)高電壓信號(hào)輸出具有設(shè)定重復(fù)頻率的高壓大電流激勵(lì)信號(hào)。[0030] 電磁超聲傳感器104，與發(fā)射電路相連接，用于根據(jù)激勵(lì)信號(hào)生成超聲信號(hào)，并接收回波信號(hào)，其中，所述回波信號(hào)為所述超聲信號(hào)在傳播過程中遇到待檢結(jié)構(gòu)缺陷和邊界時(shí)的反射信號(hào)。[0031] 在本發(fā)明實(shí)施例中，電磁超聲傳感器在發(fā)射電路輸出的高壓大電流激勵(lì)信號(hào)的驅(qū)動(dòng)下產(chǎn)生超聲信號(hào)，同時(shí)，電磁超聲傳感器還用于接收待檢測(cè)物邊界或內(nèi)部缺陷對(duì)超聲信號(hào)的反射信號(hào)，該反射信號(hào)即為超聲回波信號(hào)，其中，超聲回波信號(hào)中包含對(duì)待檢測(cè)物的檢測(cè)信息。[0032] 接收信號(hào)調(diào)理及采樣電路105，與電磁超聲傳感器和可編程ASIC器件相連接，用于對(duì)回波信號(hào)進(jìn)行處理和模數(shù)轉(zhuǎn)換，轉(zhuǎn)換后的波形數(shù)據(jù)點(diǎn)寫入可編程ASIC器件內(nèi)部的存儲(chǔ)單元，可選地，寫入可編程ASIC器件內(nèi)部的存儲(chǔ)單元的波形數(shù)據(jù)點(diǎn)可以存入波形數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元?？蛇x地，處理器單元從可編程ASIC器件內(nèi)部的存儲(chǔ)單元中讀出波形數(shù)據(jù)點(diǎn)，與波形數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元中對(duì)應(yīng)位置的數(shù)據(jù)進(jìn)行相加，結(jié)果重新寫入波形數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元中對(duì)應(yīng)位置，并將平均結(jié)果傳送至波形數(shù)據(jù)輸出接口。[0033] 在本發(fā)明實(shí)施例中，電磁超聲傳感器接收到的信號(hào)中包括高壓大電流激勵(lì)信號(hào)、超聲回波信號(hào)以及干擾信號(hào)，接收信號(hào)調(diào)理及采樣電路用于對(duì)電磁超聲傳感器接收信號(hào)進(jìn)行處理，優(yōu)選地，接收信號(hào)調(diào)理及采樣電路可以對(duì)高壓大電流激勵(lì)信號(hào)進(jìn)行較大幅度的衰減，而對(duì)超聲回波信號(hào)的幅值進(jìn)行大倍數(shù)的放大，并通過濾波對(duì)干擾信號(hào)進(jìn)行抑制，然后對(duì)處理后的接收信號(hào)進(jìn)行模數(shù)轉(zhuǎn)換，將處理后的反射信號(hào)轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號(hào)，得到波形數(shù)據(jù)點(diǎn)，并將波形數(shù)據(jù)點(diǎn)寫入可編程ASIC器件?？蛇x地，當(dāng)可編程ASIC器件為FPGA時(shí)，將接收信號(hào)調(diào)理及采樣電路采樣得到的波形數(shù)據(jù)點(diǎn)寫入FPGA內(nèi)部的存儲(chǔ)單元，直到接收電路完成一組信號(hào)的采集。[0034] 在本發(fā)明實(shí)施例中，采用可編程ASIC器件，用于生成多路信號(hào)，其中，多路信號(hào)包括四路發(fā)射控制信號(hào)和充電控制信號(hào)；電壓轉(zhuǎn)換電路，與可編程ASIC器件相連接，用于在接收到充電控制信號(hào)時(shí)將低電壓信號(hào)轉(zhuǎn)換成高電壓信號(hào)；發(fā)射電路，與可編程ASIC器件和電壓轉(zhuǎn)換電路相連接，用于根據(jù)發(fā)射控制信號(hào)和高電壓信號(hào)生成高電壓大電流的激勵(lì)信號(hào)；電磁超聲傳感器，與發(fā)射電路相連接，用于根據(jù)激勵(lì)信號(hào)生成超聲信號(hào)，并接收超聲信號(hào)的反射信號(hào)；接收信號(hào)調(diào)理及采樣電路，與電磁超聲傳感器和可編程ASIC器件相連接，用于對(duì)反射信號(hào)進(jìn)行處理和采樣，得到波形數(shù)據(jù)點(diǎn)并寫入可編程ASIC器件的。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的脈沖激發(fā)式電磁超聲檢測(cè)儀達(dá)到了在小體積、低功耗和低電壓供電的條件下發(fā)射高電壓、大電流激勵(lì)信號(hào)的目的，從而實(shí)現(xiàn)了減小脈沖激發(fā)式電磁超聲檢測(cè)儀功耗的技術(shù)效果，進(jìn)而解決了現(xiàn)有電磁超聲測(cè)厚儀器無(wú)法在小體積、低功耗、及低壓電池供電的條件下，發(fā)射高壓大電流的技術(shù)問題。

[0035] 可選地，電壓轉(zhuǎn)換電路102包括：低壓電源1021，用于提供低電壓信號(hào)；充電控制電路1022，與可編程ASIC器件和低壓電源相連接，充電控制電路在接收到充電控制信號(hào)時(shí)，控制低壓電源為高壓電容充電；高壓電容1023，與充電控制電路和發(fā)射電路相連接，經(jīng)低壓電源充電至高電壓，為發(fā)射電路提供高電壓信號(hào)。[0036] 作為本發(fā)明實(shí)施例的一種可選的實(shí)施方式，電壓轉(zhuǎn)換電路包括低壓電源、充電控制電路和高壓電容，其中，充電控制電路用于接收可編程ASIC器件生成的充電控制信號(hào)，并在接收到充電控信號(hào)之后，控制低壓電源為高壓電容充電，將高壓電容充電至高壓，從而實(shí)現(xiàn)將低電壓信號(hào)轉(zhuǎn)換至高電壓信號(hào)，進(jìn)而為發(fā)射電路提供高電壓信號(hào)?？蛇x地，低壓電源可以采用低壓電池，高壓電容可以采用高壓鋁電解電容，以實(shí)現(xiàn)脈沖激發(fā)式電磁超聲檢測(cè)儀的便攜式和小型化。[0037] 可選地，發(fā)射電路103包括：四路高速隔離電路1031，與可編程ASIC器件相連接，其中，四路高速隔離電路根據(jù)四路發(fā)射控制信號(hào)輸出四路模擬輸入信號(hào)，并對(duì)四路發(fā)射控制信號(hào)與四路模擬輸入信號(hào)進(jìn)行隔離，四路模擬輸入信號(hào)包括第一組模擬輸入信號(hào)和第二組模擬輸入信號(hào)，第一組模擬輸入信號(hào)與第二組模擬輸入信號(hào)分別包括極性相同的模擬輸入信號(hào)，所述第一組模擬輸入信號(hào)與所述第二組模擬輸入信號(hào)的極性相反；四路電壓電流放大電路1032，與四路高速隔離電路相連接，用于將第一組模擬輸入信號(hào)和第二組模擬輸入信號(hào)進(jìn)行放大，得到第一組驅(qū)動(dòng)信號(hào)和第二組驅(qū)動(dòng)信號(hào)；全橋高壓大電流開關(guān)電路1033，與多路電壓電流放大電路和電壓轉(zhuǎn)換電路相連接，其中，電壓轉(zhuǎn)換電路為全橋高壓大電流開關(guān)電路提供高電壓信號(hào)，全橋高壓大電流開關(guān)電路根據(jù)第一組驅(qū)動(dòng)信號(hào)和第二組驅(qū)動(dòng)信號(hào)調(diào)整運(yùn)行狀態(tài)，運(yùn)行狀態(tài)包括導(dǎo)通或者截止；高壓變壓器轉(zhuǎn)換電路1034，與全橋高壓大電流開關(guān)電路相連接，用于根據(jù)全橋高壓大電流開關(guān)電路的導(dǎo)通或者截止，生成激勵(lì)信號(hào)。[0038] 作為本發(fā)明實(shí)施例的一種可選的實(shí)施方式，發(fā)射電路包括四路高速隔離電路、四路電壓電流放大電路、全橋高壓大電流放大電路和高壓變壓器轉(zhuǎn)換電路，其中，四路高速隔離電路接收可編程ASIC器件生成的四路發(fā)射控制信號(hào)，每一路高速隔離電路根據(jù)一路發(fā)射控制信號(hào)生成一路模擬輸入信號(hào)，從而得到四路模擬輸入信號(hào)，并且四路模擬輸入信號(hào)包括第一組模擬輸入信號(hào)和第二組模擬輸入信號(hào)，第一組模擬輸入信號(hào)中包括兩路極性相同的信號(hào)，第二組模擬輸入信號(hào)中包括兩路極性相同的信號(hào)，第一組模擬輸入信號(hào)的極性與第二組模擬輸入信號(hào)的極性相反。四路高速隔離電路還用于將發(fā)射控制信號(hào)與后續(xù)的模擬電路進(jìn)行隔離；四路電壓電流放大電路對(duì)第一組模擬輸入信號(hào)和第二組模擬輸入信號(hào)進(jìn)行放大得到第一組驅(qū)動(dòng)信號(hào)和第二組驅(qū)動(dòng)信號(hào)，第一組驅(qū)動(dòng)信號(hào)包括兩路極性相同的驅(qū)動(dòng)信號(hào)，第二組驅(qū)動(dòng)信號(hào)包括兩路極性相同的驅(qū)動(dòng)信號(hào)，第一組驅(qū)動(dòng)信號(hào)的極性與第二組驅(qū)動(dòng)信號(hào)的極性相反；全橋高壓大電流開關(guān)電路根據(jù)第一組驅(qū)動(dòng)信號(hào)和第二組驅(qū)動(dòng)信號(hào)將運(yùn)行狀態(tài)調(diào)整為截止或者導(dǎo)通，高壓變壓器轉(zhuǎn)換電路根據(jù)全橋高壓大電流開關(guān)電路的運(yùn)行狀態(tài)為截止或者導(dǎo)通生成激勵(lì)信號(hào)。[0039] 可選地，全橋高壓大電流開關(guān)電路包括：第一開關(guān)組，與四路電壓電流放大電路相連接，在第一組驅(qū)動(dòng)信號(hào)的電壓滿足第一預(yù)設(shè)電壓時(shí)，第一開關(guān)組導(dǎo)通；第二開關(guān)組，與四路電壓電流放大電路相連接，在第二組驅(qū)動(dòng)信號(hào)的電壓滿足第二預(yù)設(shè)電壓時(shí)，第二開關(guān)組導(dǎo)通。[0040] 作為本發(fā)明實(shí)施例的一種可選的實(shí)施方式，全橋高壓大電流開關(guān)包括第一開關(guān)組和第二開關(guān)組，第一開關(guān)組根據(jù)第一組驅(qū)動(dòng)信號(hào)調(diào)整運(yùn)行狀態(tài)為截止或者導(dǎo)通，第二組開關(guān)組根據(jù)第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)調(diào)整運(yùn)行狀態(tài)為截止或者導(dǎo)通，其中，當(dāng)?shù)谝唤M驅(qū)動(dòng)信號(hào)的電壓滿足第一預(yù)設(shè)電壓時(shí)，第一開關(guān)組導(dǎo)通，當(dāng)?shù)诙M驅(qū)動(dòng)信號(hào)電壓滿足第二預(yù)電壓時(shí)，第二開關(guān)組導(dǎo)通，第一組驅(qū)動(dòng)信號(hào)與第二組驅(qū)動(dòng)信號(hào)極性相反，當(dāng)?shù)谝婚_關(guān)組導(dǎo)通時(shí)，第二開關(guān)組截止，當(dāng)?shù)诙_關(guān)組導(dǎo)通時(shí)，第一開關(guān)組截止，當(dāng)不發(fā)射信號(hào)時(shí)，第一開關(guān)組、第二開關(guān)組同時(shí)處于截止?fàn)顟B(tài)。[0041] 可選地，第一開關(guān)組包括左臂高端開關(guān)和右臂低端開關(guān)，在第一組驅(qū)動(dòng)信號(hào)的電壓滿足第一預(yù)設(shè)電壓時(shí)左臂高端開關(guān)和右臂低端開關(guān)導(dǎo)通；第二開關(guān)組包括左臂低端開關(guān)和右臂高端開關(guān)，在第二組驅(qū)動(dòng)信號(hào)的電壓滿足第二預(yù)設(shè)電壓時(shí)左臂低端開關(guān)和右臂高端開關(guān)導(dǎo)通，當(dāng)不發(fā)射信號(hào)時(shí)，第一開關(guān)組、第二開關(guān)組同時(shí)處于截止?fàn)顟B(tài)。[0042] 作為本發(fā)明實(shí)施例的一種可選的實(shí)施方式，第一開關(guān)組包括左臂高端開關(guān)和右臂低端開關(guān)，第二開關(guān)組包括左臂低端開關(guān)和右臂高端開關(guān)，在第一組驅(qū)動(dòng)信號(hào)的電壓滿足第一預(yù)設(shè)電壓時(shí)，左臂高端開關(guān)和右臂低端開關(guān)同時(shí)導(dǎo)通，第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)滿足第二預(yù)設(shè)電壓時(shí)，左臂低端開關(guān)和右臂高端開關(guān)同時(shí)導(dǎo)通，由于第一組驅(qū)動(dòng)信號(hào)與第二組驅(qū)動(dòng)信號(hào)極性相反，在左臂高端開關(guān)和右臂低端開關(guān)導(dǎo)通時(shí)，左臂低端開關(guān)和右臂高端開關(guān)截止，在左臂低端開關(guān)和右臂高端開關(guān)導(dǎo)通時(shí)，左臂高端開關(guān)和右臂低端開關(guān)截止，當(dāng)不發(fā)射信號(hào)時(shí)，第一開關(guān)組、第二開關(guān)組同時(shí)處于截止?fàn)顟B(tài)。[0043] 可選地，高壓變壓器轉(zhuǎn)換電路包括：調(diào)諧電路，與左臂高端開關(guān)和左臂低端開關(guān)的接點(diǎn)相連接；高壓變壓器，高壓變壓器的原邊的第一端與調(diào)諧電路相連接，高壓變壓器的原邊的第二端與右臂高端開關(guān)和右臂低端開關(guān)的接點(diǎn)相連接，高壓變壓器副邊的第一端接地，高壓變壓器副邊的第二端與電磁超聲傳感器相連接。[0044] 作為本發(fā)明實(shí)施例的一種可選的實(shí)施方式，高壓變壓器轉(zhuǎn)換電路包括調(diào)諧電路和高壓變壓器，其中，高壓變壓器原邊繞組的一端經(jīng)調(diào)諧電路連接全橋高壓大電流開關(guān)電路的左臂低端開關(guān)和左臂高端開關(guān)的接點(diǎn)，高壓變壓器原邊繞組的另一端接全橋高壓大電流開關(guān)電路的右臂低端開關(guān)和右臂高端開關(guān)的接點(diǎn)，高壓變壓器副邊繞組的一端接地，另一端與電磁超聲傳感器相連接，根據(jù)全橋高壓大電流開關(guān)電路的導(dǎo)通狀態(tài)或者截止?fàn)顟B(tài)，高壓變壓器向電磁超聲傳感器提供高壓大電流的激勵(lì)信號(hào)。[0045] 可選地，接收信號(hào)調(diào)理及采樣電路105包括：接收信號(hào)調(diào)理電路1051，與電磁超聲傳感器相連接，用于對(duì)回波信號(hào)進(jìn)行處理，得到處理后的回波信號(hào)；模數(shù)轉(zhuǎn)換電路1052，與接收信號(hào)調(diào)理電路相連接，用于對(duì)處理后的回波信號(hào)進(jìn)行采樣得到波形數(shù)據(jù)點(diǎn)。[0046] 作為本發(fā)明實(shí)施例的一種可選的實(shí)施方式，接收信號(hào)調(diào)理及采樣電路包括接收信號(hào)調(diào)理電路和模數(shù)轉(zhuǎn)換電路，其中，接收信號(hào)調(diào)理電路用于對(duì)電磁超聲傳感器的接收信號(hào)至少進(jìn)行限幅、放大及濾波等處理，得到處理后的超聲回波信號(hào)，模數(shù)轉(zhuǎn)換電路對(duì)處理后的超聲回波信號(hào)進(jìn)行采樣得到波形數(shù)據(jù)點(diǎn)。[0047] 可選地，接收信號(hào)調(diào)理電路1051包括：限幅電路10511，與電磁超聲傳感器相連接；低噪聲前置放大電路10512，與限幅電路相連接；固定增益放大電路10513，與低噪聲前置放大電路相連接；帶通濾波電路10514，與固定增益放大電路相連接；第一級(jí)程控放大電路

10515，與帶通濾波電路相連接；第二級(jí)程控放大電路10516，與第一級(jí)程控放大電路相連接；低通濾波電路10517，與第二級(jí)程控放大電路相連接。

[0048] 作為本發(fā)明實(shí)施例的一種可選的實(shí)施方式，接收信號(hào)調(diào)理電路包括限幅電路、低噪聲前置放大電路、固定增益放大電路、帶通濾波電路、第一級(jí)程控放大電路和第二級(jí)程控放大電路，其中，采用限幅電路對(duì)電磁超聲傳感器接收信號(hào)中的高壓大電流信號(hào)進(jìn)行較大幅值的衰減，而對(duì)微弱的超聲回波信號(hào)進(jìn)行大倍數(shù)的放大，采用帶通濾波器對(duì)干擾信號(hào)進(jìn)行抑制，采用低噪聲前置放大電路、固定增益放大電路、第一級(jí)程控放大電路和第二級(jí)程控放大電路分別對(duì)反射信號(hào)進(jìn)行放大，采用低通濾波器對(duì)反射信號(hào)進(jìn)行抗混淆濾波。[0049] 可選地，多路信號(hào)包括增益設(shè)定信號(hào)和頻率選擇信號(hào)，接收信號(hào)調(diào)理及采樣電路105包括：增益電壓設(shè)置電路1053，與可編程ASIC器件、第一級(jí)程控放大電路和第二級(jí)程控放大電路相連接，根據(jù)增益設(shè)定信號(hào)輸出兩路電壓信號(hào)，兩路電壓信號(hào)分別設(shè)置第一級(jí)程控放大電路和第二級(jí)程控放大電路的增益；截止頻率選擇電路1054，與可編程ASIC器件和帶通濾波電路相連接，用于根據(jù)頻率選擇信號(hào)設(shè)置帶通濾波電路的截止頻率。

[0050] 作為本發(fā)明實(shí)施例的一個(gè)可選的實(shí)施方式，接收信號(hào)調(diào)理及采樣電路還包括增益電壓設(shè)置電路和截止頻率選擇電路，其中，增益電壓設(shè)置電路用于確定第一程控放大電路和第二級(jí)程控放大電路的放大倍數(shù)，截止頻率選擇電路用于確定帶通濾波器的截止頻率。具體地，可編程ASIC器件生成多路控制信號(hào)還包括增益設(shè)定信號(hào)和頻率選擇信號(hào)。增益電壓設(shè)置電路與可編程ASIC器件相連接，根據(jù)增益設(shè)定信號(hào)，調(diào)整其輸出電壓的值，帶通濾波器與增益電壓設(shè)置電路的輸出端相連接，增益電壓設(shè)置電路通過其輸出電壓確定第一級(jí)程控放大電路和第二級(jí)程控放大電路的放大倍數(shù)，可選地，在本發(fā)明實(shí)施例的一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施方式中，前置放大器的增益為20dB，固定增益放大電路的增益為20dB,通過增益電壓設(shè)置電路的輸出電壓將第一級(jí)程控放大電路和第二級(jí)程控放大電路的最大增益均設(shè)置為34dB，將其最小增益均設(shè)置為4dB，從而使接收信號(hào)調(diào)理及采樣電路的增益選擇范圍為48dB?

108dB。截止頻率選擇電路與ASIC器件相連接，截止頻率選擇電路根據(jù)頻率選擇信號(hào)選擇帶通濾波器的截止頻率。

[0051] 可選地，檢測(cè)儀還包括：處理器單元106，與可編程ASIC器件相連接，用于接收參數(shù)，并控制可編程ASIC器件根據(jù)參數(shù)生成多路信號(hào)；波形數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元107，與處理器單元相連接，其中，處理器單元從可編程ASIC器件讀取波形數(shù)據(jù)點(diǎn)，將波形數(shù)據(jù)點(diǎn)存儲(chǔ)在波形數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元中。[0052] 作為本發(fā)明實(shí)施例的一種可選的實(shí)施方式，本發(fā)明所提供的脈沖激發(fā)式電磁超聲檢測(cè)儀還包括處理器單元和波形數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元，該處理器單元可以采用ARM或者DSP來(lái)實(shí)現(xiàn)其功能，具體地，該處理器單元與可編程ASIC器件相連接，處理器單元包括參數(shù)輸入接口，通過參數(shù)輸入接口接收參數(shù)，并根據(jù)參數(shù)使可編程ASIC器件生成多路控制信號(hào)，可選地，當(dāng)可編程ASIC器件為FPGA時(shí)，處理器單元通過參數(shù)輸入接口接收的參數(shù)包括：激勵(lì)頻率和增益，處理器分別將上述參數(shù)定入FPGA的激勵(lì)頻率寄存器、增益寄存器和采用頻率寄存器，F(xiàn)PGA根據(jù)相應(yīng)的寄存器中的參數(shù)值生成相應(yīng)的控制信號(hào)，例如:FPGA根據(jù)激勵(lì)頻率寄存器中的激勵(lì)頻率生成相應(yīng)頻率的四路發(fā)射控制信號(hào)，同時(shí)根據(jù)截止頻率選擇信號(hào)，以確定帶通濾波器的截止頻率；根據(jù)增益寄存器的值生成增益設(shè)定信號(hào)，從而確定第一級(jí)程控放大電路和第二級(jí)程控放大電路的增益。波形數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元與處理器單元相連接，在完成一組信號(hào)的采集并將波形數(shù)據(jù)點(diǎn)寫入可編程ASIC器件內(nèi)部存儲(chǔ)單元之后，可編程ASIC器件通知處理器單元讀取波形數(shù)據(jù)點(diǎn)，處理器單元將從可編程ASIC器件內(nèi)部存儲(chǔ)單元中讀取到的波形數(shù)據(jù)點(diǎn)存儲(chǔ)在波形數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元中，可選地，波形數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元，可以但不限于采用高速SRAM或者SDRAM等來(lái)實(shí)現(xiàn)其功能。[0053] 可選地，作為本發(fā)明實(shí)施例的一種可選的實(shí)施方式，在一次檢測(cè)過程中，脈沖激發(fā)式電磁超聲檢測(cè)儀可以進(jìn)行多次激勵(lì)，并接收多次超聲回波信號(hào)，在每一次激勵(lì)及對(duì)回波信號(hào)完成采樣之后，可編程ASIC器件向處理器發(fā)出讀取波形數(shù)據(jù)點(diǎn)的命令，處理器單元從可編程ASIC器件內(nèi)部存儲(chǔ)單元中讀取波形數(shù)據(jù)點(diǎn)，與波形數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)相疊加，再重新存儲(chǔ)在波形數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元中，從而實(shí)現(xiàn)多次采集的波形數(shù)據(jù)點(diǎn)的平均。[0054] 在本發(fā)明實(shí)施例中，采用充電控制電路將高壓鋁電解電容快速充電到高電壓，為全橋高壓大電流開關(guān)電路提供高壓輸入信號(hào)，從而實(shí)現(xiàn)了小體積即可為高壓電路提供足夠的高壓輸入信號(hào)，同時(shí)，采用全橋電路結(jié)構(gòu)以開關(guān)放大方式控制高壓變壓器原邊產(chǎn)生大電流的有限周期的激勵(lì)信號(hào)，高壓變壓器的副邊可以為電磁超聲傳感器提供高壓大電流驅(qū)動(dòng)信號(hào)，從而實(shí)現(xiàn)了小體積儀器即可輸出高壓大電流激勵(lì)信號(hào)。本發(fā)明實(shí)施例中，通過限幅電路對(duì)進(jìn)入接收信號(hào)調(diào)理及采樣電路的高壓信號(hào)進(jìn)行限幅，同時(shí)使微弱的接收信號(hào)不失真的通過，并進(jìn)一步經(jīng)過低噪聲前置放大器、固定增益電路進(jìn)行放大，在將信號(hào)調(diào)節(jié)至一定電壓范圍內(nèi)之后，通過濾波濾除信號(hào)中的干擾信號(hào)，通過程控放大電路將其放大至有效范圍，進(jìn)而使得采樣電路能對(duì)接收信號(hào)進(jìn)行模數(shù)轉(zhuǎn)換，同時(shí)，本發(fā)明實(shí)施例中的接收信號(hào)調(diào)理及采樣電路還能夠有效的抗擊高壓大電流激勵(lì)信號(hào)的沖擊。[0055] 圖2是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的一種可選的脈沖激發(fā)式電磁超聲檢測(cè)儀的工作流程圖，如圖2所示，在本發(fā)明實(shí)施例中，采用ARM作為處理器單元，采用FPGA作為可編程ASIC器件，采用SRAM作為波形數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元。本發(fā)明實(shí)施例的脈沖激發(fā)式電磁超聲檢測(cè)儀的工作流程主要包括如下步驟：[0056] 步驟S201，開始。通過本發(fā)明實(shí)施例的脈沖激發(fā)式電磁超聲檢測(cè)儀對(duì)待測(cè)材料進(jìn)行檢測(cè)，可選地，該檢測(cè)儀可以用于檢測(cè)待測(cè)材料的厚度。[0057] 步驟S202，ARM接收參數(shù)，將參數(shù)寫入FPGA。ARM首先通過參數(shù)輸入接口接收參數(shù)，并將參數(shù)寫入FPGA中，具體地，ARM將平均次數(shù)的值作為平均次數(shù)全局變量，將激勵(lì)頻率值、增益值通過總線接口寫入FPGA對(duì)應(yīng)的激勵(lì)頻率寄存器、增益寄存器中，F(xiàn)PGA根據(jù)截止頻率選擇信號(hào)，控制帶通濾波器的截止頻率，根據(jù)增益寄存器的值生成增益設(shè)定信號(hào)，確定第一級(jí)程控放大電路和第二級(jí)程控放大電路的增益。將平均寄存器中的值設(shè)為1，在當(dāng)平均寄存器為1時(shí)，ARM將SRAM中的存儲(chǔ)單元全部清零。[0058] 步驟S203，F(xiàn)PGA控制高壓鋁電解電容充電。FPGA生成控制信號(hào)，控制充電控制電路通過低壓電源對(duì)高壓鋁電解電容進(jìn)行快速充電，將高壓鋁電解電容充電至高壓，從而為全橋高壓大電流開關(guān)電路提供高電壓信號(hào)。[0059] 步驟S204，F(xiàn)PGA生成四路發(fā)射控制數(shù)字信號(hào)，并控制發(fā)射電路根據(jù)四路發(fā)射控制數(shù)字信號(hào)輸出激勵(lì)信號(hào)。FPGA根據(jù)激勵(lì)頻率寄存器中的激勵(lì)頻率生成四路發(fā)射控制信號(hào)，通過四路高速隔離電路進(jìn)行模數(shù)隔離并轉(zhuǎn)換成四路模擬信號(hào)，并將四路模擬信號(hào)輸入至四路電壓電流放大電路，電壓電流放大電路將四路模擬信號(hào)進(jìn)行放大得到四路驅(qū)動(dòng)信號(hào)，從而驅(qū)動(dòng)全橋高壓大電流開關(guān)電路在高壓變壓器電路的兩輸入端產(chǎn)生高壓大電流的有限周期脈沖信號(hào)，進(jìn)而在變壓器的副邊產(chǎn)生高壓大電流的激勵(lì)信號(hào)。[0060] 電磁超聲傳感器根據(jù)激勵(lì)信號(hào)產(chǎn)生超聲，在待測(cè)材料進(jìn)行傳播，并接收微弱超聲回波信號(hào)，將接收信號(hào)輸出到接收信號(hào)調(diào)理及采樣電路中。接收信號(hào)調(diào)理及采樣電路對(duì)接收到的回波信號(hào)進(jìn)行處理及模數(shù)轉(zhuǎn)換。限幅電路對(duì)接收到的回波信號(hào)中的高壓大電流信號(hào)進(jìn)行較大幅值的衰減，對(duì)微弱電磁超聲檢測(cè)信號(hào)進(jìn)行大倍數(shù)的放大，并輸入至前置放大器中，由前置放大器對(duì)檢測(cè)信號(hào)進(jìn)行前置放大，由固定增益放大電路進(jìn)行再次放大，再采用帶通濾波電路對(duì)干擾信號(hào)分別進(jìn)行衰減，然后分別通過第一級(jí)程控放大電路和第二級(jí)程控入大電路進(jìn)行放大，最后采用低通濾波電路進(jìn)行抗混淆濾波，得到處理后的檢測(cè)信號(hào)，該檢測(cè)信號(hào)為模擬信號(hào)。[0061] FPGA在發(fā)射4路發(fā)射控制數(shù)字信號(hào)的起始時(shí)刻，同步控制采樣電路對(duì)上述處理后的檢測(cè)信號(hào)進(jìn)行模數(shù)轉(zhuǎn)換得到波形數(shù)據(jù)點(diǎn)，并依次存入FPGA的內(nèi)部，直至采集完成一組波形數(shù)據(jù)點(diǎn)。[0062] 步驟S205，ARM從FPGA中依次讀取波形數(shù)據(jù)點(diǎn)，并從SRAM中讀出對(duì)應(yīng)位置的數(shù)據(jù)與之疊加后，將結(jié)果再存入SRAM的對(duì)應(yīng)位置。當(dāng)一組波形數(shù)據(jù)點(diǎn)采集完成后，F(xiàn)PGA向ARM發(fā)出讀取波形數(shù)據(jù)點(diǎn)的命令，ARM以總線方式從FPGA的內(nèi)部依次讀走一個(gè)波形數(shù)據(jù)點(diǎn)數(shù)據(jù)，并從SRAM的對(duì)應(yīng)地址單元讀出一個(gè)數(shù)據(jù)與之相加后再次寫入SRAM的對(duì)應(yīng)的地址單元，直到ARM將全部數(shù)據(jù)讀取完畢，然后ARM將平均寄存器的值加上1。[0063] 步驟S206，判斷平均寄存器的值是否等于平均次數(shù)全局變量。如果平均寄存器的值不等于平均次數(shù)全局變量時(shí)，重復(fù)步驟S203至步驟S206。[0064] 步驟S207，如果平均寄存器的值等于平均次數(shù)全局變量時(shí)，ARM將經(jīng)平均后的波形數(shù)據(jù)點(diǎn)傳送至波形數(shù)據(jù)輸出接口。ARM從波形數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元中讀取波形數(shù)據(jù)點(diǎn)，并通過波形數(shù)據(jù)輸出接口輸出，可選地，輸出的波形數(shù)據(jù)可以由顯示屏進(jìn)行顯示，也可以通過計(jì)算機(jī)對(duì)波形數(shù)據(jù)進(jìn)行分析和處理。[0065] 步驟S208，結(jié)束。完成對(duì)待測(cè)材料的一次檢測(cè)。[0066] 上述本發(fā)明實(shí)施例序號(hào)僅僅為了描述，不代表實(shí)施例的優(yōu)劣。[0067] 在本發(fā)明的上述實(shí)施例中，對(duì)各個(gè)實(shí)施例的描述都各有側(cè)重，某個(gè)實(shí)施例中沒有詳述的部分，可以參見其他實(shí)施例的相關(guān)描述。[0068] 在本申請(qǐng)所提供的幾個(gè)實(shí)施例中，應(yīng)該理解到，所揭露的技術(shù)內(nèi)容，可通過其它的方式實(shí)現(xiàn)。其中，以上所描述的裝置實(shí)施例僅僅是示意性的，例如所述單元的劃分，可以為一種邏輯功能劃分，實(shí)際實(shí)現(xiàn)時(shí)可以有另外的劃分方式，例如多個(gè)單元或組件可以結(jié)合或者可以集成到另一個(gè)系統(tǒng)，或一些特征可以忽略，或不執(zhí)行。另一點(diǎn)，所顯示或討論的相互之間的耦合或直接耦合或通信連接可以是通過一些接口，單元或模塊的間接耦合或通信連接，可以是電性或其它的形式。[0069] 所述作為分離部件說(shuō)明的單元可以是或者也可以不是物理上分開的，作為單元顯示的部件可以是或者也可以不是物理單元，即可以位于一個(gè)地方，或者也可以分布到多個(gè)單元上?？梢愿鶕?jù)實(shí)際的需要選擇其中的部分或者全部單元來(lái)實(shí)現(xiàn)本實(shí)施例方案的目的。[0070] 另外，在本發(fā)明各個(gè)實(shí)施例中的各功能單元可以集成在一個(gè)處理單元中，也可以是各個(gè)單元單獨(dú)物理存在，也可以兩個(gè)或兩個(gè)以上單元集成在一個(gè)單元中。上述集成的單元既可以采用硬件的形式實(shí)現(xiàn)，也可以采用軟件功能單元的形式實(shí)現(xiàn)。[0071] 所述集成的單元如果以軟件功能單元的形式實(shí)現(xiàn)并作為獨(dú)立的產(chǎn)品銷售或使用時(shí)，可以存儲(chǔ)在一個(gè)計(jì)算機(jī)可讀取存儲(chǔ)介質(zhì)中?；谶@樣的理解，本發(fā)明的技術(shù)方案本質(zhì)上或者說(shuō)對(duì)現(xiàn)有技術(shù)做出貢獻(xiàn)的部分或者該技術(shù)方案的全部或部分可以以軟件產(chǎn)品的形式體現(xiàn)出來(lái)，該計(jì)算機(jī)軟件產(chǎn)品存儲(chǔ)在一個(gè)存儲(chǔ)介質(zhì)中，包括若干指令用以使得一臺(tái)計(jì)算機(jī)設(shè)備(可為個(gè)人計(jì)算機(jī)、服務(wù)器或者網(wǎng)絡(luò)設(shè)備等)執(zhí)行本發(fā)明各個(gè)實(shí)施例所述方法的全部或部分步驟。而前述的存儲(chǔ)介質(zhì)包括：U盤、只讀存儲(chǔ)器(ROM，Read?OnlyMemory)、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM，RandomAccessMemory)、移動(dòng)硬盤、磁碟或者光盤等各種可以存儲(chǔ)程序代碼的介質(zhì)。[0072] 以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾，這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。