本發(fā)明公開了一種SiC納米線增強(qiáng)多孔陶瓷
復(fù)合材料及其制備方法,該材料體積密度為0.5~1.8g/cm
3,通孔率為50~80%,由多孔陶瓷、SiC納米線、界面層和SiC基體組成,其特征在于SiC納米線原位生長在多孔陶瓷中,界面層包覆在SiC納米線和多孔陶瓷表面,SiC基體填充在多孔陶瓷和SiC納米線的空隙中。本發(fā)明采用SiC納米線增強(qiáng)多孔陶瓷復(fù)合材料,有效提高多孔陶瓷內(nèi)部的比表面積,同時(shí)對多孔陶瓷進(jìn)行結(jié)構(gòu)增韌補(bǔ)強(qiáng),并且原位填充SiC基體,顯著提高多孔陶瓷復(fù)合材料的過濾性能及高溫隔熱性能等。
聲明:
“SiC納米線增強(qiáng)多孔陶瓷復(fù)合材料及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)