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> 稀土氧化物CeO2對(duì)PEG基MEMS封裝材料陽(yáng)極鍵合性能的影響
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本研究制備了含稀土氧化物(CeO2)的固體聚合物電解質(zhì)導(dǎo)電材料。當(dāng)材料中CeO2含量為8wt.%時(shí)，材料的結(jié)晶度大大降低，材料內(nèi)部的無(wú)定形區(qū)域增加，有效地促進(jìn)了離子傳輸，提高了離子電導(dǎo)率，增加了鍵合過(guò)程的峰值電流，提高了鍵合效率。 (PEG)10LiClO4-8%wt.CeO2和鋁箔的鍵合界面清晰，無(wú)氣孔或缺陷，鍵合界面抗拉強(qiáng)度達(dá)到8.32MPa，拉伸斷裂發(fā)生在鍵合母材處。因此，本研究制備的固體聚合物電解質(zhì)具有良好的鍵合性能，陽(yáng) 展開(kāi)更多+
本研究制備了含稀土氧化物(CeO2)的固體聚合物電解質(zhì)導(dǎo)電材料。當(dāng)材料中CeO2含量為8wt.%時(shí)，材料的結(jié)晶度大大降低，材料內(nèi)部的無(wú)定形區(qū)域增加，有效地促進(jìn)了離子傳輸，提高了離子電導(dǎo)率，增加了鍵合過(guò)程的峰值電流，提高了鍵合效率。 (PEG)10LiClO4-8%wt.CeO2和鋁箔的鍵合界面清晰，無(wú)氣孔或缺陷，鍵合界面抗拉強(qiáng)度達(dá)到8.32MPa，拉伸斷裂發(fā)生在鍵合母材處。因此，本研究制備的固體聚合物電解質(zhì)具有良好的鍵合性能，陽(yáng)極鍵合后可形成理想的鍵合界面。 收起+
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